温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开实施例提出了一种半导体结构及其制作方法、电容器和存储器，其中，半导体结构包括：依次堆叠的第一本征层和第二本征层，第一本征层具有四方晶相，第二本征层的材料包括氧化铪；其中，第一本征层的厚度和第二本征层的厚度之比满足预设范围，以使第二本征...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。