【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体结构及其制造方法，且特别是涉及一种包括电阻器的半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、电阻器为广泛应用于半导体结构中的一种元件。若能有效地将电阻器的制作工艺与其他半导体元件的制作工艺进行整合，则可降低光掩模数量、生产成本以及制作工艺复杂度。因此，如何有效地将电阻器的制作工艺与其他半导体元件的制作工艺进行整合为目前持续努力的目标。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种半导体结构及其制造方法，其可有效地将电阻器的制作工艺与存储器元件的制作工艺进行整合，进而降低光掩模数量、生产成本以及制作工艺复杂度。
2、本专利技术提出一种半导体结构，包括基底、存储器元件、第三介电层、电阻器、第一接触窗与第二接触窗。基底包括存储器区与电阻器区。存储器元件位于存储器区中。存储器元件包括第一介电层、浮置栅极、第二介电层与控制栅极。第一介电层位于基底上。浮置栅极位于第一介电层上。第二介电层位于浮置栅极上。控制栅极位于第二介电层上。第三介电层位于电阻器区中的基底上。电阻器位于电阻器区...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述存储器元件还包括：
4.一种半导体结构的制造方法，包括：
5.如权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其中同时形成所述浮置栅极与所述电阻器。
6.如权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其中所述浮置栅极与所述电阻器的形成方法包括：
7.如权利要求4所述的半导体结构的制造方法，还包括：
8.如权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其中所述第二介电层与所述第四介电层的形成方法包
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【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述存储器元件还包括：
4.一种半导体结构的制造方法，包括：
5.如权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其中同时形成所述浮置栅极与所述电阻器。
6.如权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其中所述浮置栅极与...
【专利技术属性】
技术研发人员：许皓棠，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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