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本发明公开一种半导体结构及其制造方法，其中该半导体结构包括基底、存储器元件、第三介电层、电阻器、第一接触窗与第二接触窗。基底包括存储器区与电阻器区。存储器元件位于存储器区中。存储器元件包括第一介电层、浮置栅极、第二介电层与控制栅极。第一介电...
该专利属于力晶积成电子制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶积成电子制造股份有限公司授权不得商用。

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