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一种半导体器件可以包括：外围电路结构；源极结构，在外围电路结构上；第一电容器电极，在外围电路结构上；电极绝缘层，至少部分地围绕第一电容器电极；栅极堆叠，在源极结构上；存储沟道结构，延伸穿过栅极堆叠；阶梯绝缘层，在栅极堆叠和电极绝缘层上；第二...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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