垂直式探针卡的探针制造技术

本发明专利技术揭示一种垂直式探针卡的探针。本发明专利技术的技术手段主要是在垂直式探针卡的探针针尖处约１～１０密耳的表面上，镀上纳米镀膜厚度为１～２０纳米的高导电性高分子材料。借助于这种镀膜，本发明专利技术垂直式探针上的纳米镀膜可有效地使探针具备不沾粘、高导电性、降低接触力、延长寿命的优良质量，因此可以提高晶圆测试的良率，降低探针的清洁频率，并降低整体测试成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及 一 种用于晶圆探针(Wafer Probe)测试的探针卡 (Probe Card),特别是关于 一种具有导电高分子纳米镀膜的垂直式探 针卡的探针。
技术介绍
探针卡(Probe Card)是由多层印刷电路板(PCB)构成的结构，有 些超过30层，其结构复杂并利用许多探针(Probe)个别接触(探触)晶 圆上一连串的电子接点(垫片)，每根探针与晶圆的接触点，远比发 丝更细小。探针卡是应用在集成电路(IC)尚未封装前，针对由晶圆 (Wafer)切割而成的晶粒(Die)，用探针对该晶粒做功能测试，以筛选 出不合格品，再进行之后的封装工程。因此，晶圆针测是集成电路 制造中对制造成本影响相当大的重要流程之一。对垂直式探针卡结构而言，探针的两端会分别电性连接待测物 与电路板，由于瞬间导通在探针顶端与各焊垫间的电流相当的高， 因此经常会因为两端的温度过高、或甚至是有火花的产生，而导致 探针顶端因为产生氧化层或是发生碳化现象而使得导电性降低与电 阻值升高，从而对测试的可靠性与探针的使用寿命均产生不良的影 响。另外，对于整体垂直式探针卡中的探针与待测晶粒的良好接触 以达到良好测试质量本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直式探针卡的探针，由金属材料制成，用于装置在所述垂直式探针卡上，其特征在于：所述探针上镀有导电高分子纳米镀膜。

【技术特征摘要】
1.一种垂直式探针卡的探针，由金属材料制成，用于装置在所述垂直式探针卡上，其特征在于所述探针上镀有导电高分子纳米镀膜。2. 如权利要求1所述垂直式探针卡的探针，其特征在于所 述导电高分子纳米镀膜是具有不沾粘性质的导电性高分子材料。3. 如权利要求2所述垂直式探针卡的探针，其特征在于所 述导电性高分子材料包括聚吡咯、聚对苯撑乙烯、聚噻吩、聚苯胺 或上述群组中至少择一选择的组合物或其衍生物。4. 如权利要求l或3所述垂直式探针卡的探针，其特征在于 所述导电高分子纳米镀膜的厚度为1~20纳米。5. 如权利要求1或3所述垂直式探针卡的探针，其特征在于 所述导电高分子纳米镀...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彬龙，陈皇志，
申请(专利权)人：祐邦科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]