半导体集成电路装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体集成电路装置，其中设置：对提供给由晶体管（５、６）构成的被控制电路（４）的电源电压进行控制的电源控制电路（２）；对晶体管（５、６）的基板电压进行控制的基板控制电路（１）；和从其他系统控制电源转变中的基板电压的特殊基板控制电路（３）。在电源转变中由特殊基板控制电路（３）积极地实施基板控制，提早控制为所希望的基板电压，从而缩短移行到所希望的基板电压的时间。再有，为了抑制锁死、耐压劣化，由特殊基板控制电路（３）实施与电源电压和基板电压之间的电位差条件对应的电压供给、电流供给。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的半导体集成电路装置，作为基本构成具有电源控制电 路、基板控制电路和特殊基板控制电路，在电源电压与基板电压的控制等 中是有用的。再有，也可以应用于通信装置、信息再生装置、图像显示装置、电子 装置、电子控制装置、移动体等的用途。

【技术保护点】
一种半导体集成电路装置，其具备：　电源控制电路，其对向构成被控制电路的晶体管的源极提供的电源电压进行控制；　基板控制电路，其对向所述晶体管的基板提供的基板电压进行控制；和　特殊基板控制电路，其对向所述基板提供的基板电压进行 控制，并且在所述基板控制电路使基板电压转变的期间的一部分或全部期间进行工作。

【技术特征摘要】
1.一种半导体集成电路装置，其具备电源控制电路，其对向构成被控制电路的晶体管的源极提供的电源电压进行控制；基板控制电路，其对向所述晶体管的基板提供的基板电压进行控制；和特殊基板控制电路，其对向所述基板提供的基板电压进行控制，并且在所述基板控制电路使基板电压转变的期间的一部分或全部期间进行工作。2. 根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于，所述电源控制电路、所述基板控制电路和所述特殊基板控制电路协调 工作，以便縮短在电源转变后向所需的希望基板电压的移行时间。3. 根据权利要求l所述的半导体集成电路装置，其特征在于，所述特殊基板控制电路具有多个二极管功能电路；选择所述多个二极管功能电路的其中一个的二极管选择开关； 决定供给电压的多个电压决定用电阻；和 选择所述多个电压决定用电阻的其中一个的电阻选择开关。4. 根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于， 还包括系统控制电路，其根据从所述电源控制电路输出的内部电源电压，控制所述基板控制电路及所述特殊基板控制电路的动作。5. 根据权利要求l所述的半导体集成电路装置，其特征在于， 根据所述电源电压与所述基板电压之间的锁死抑制条件，改变所述基板电压的供给方法，以便抑制电源转变中的所述晶体管中的锁死的产生。6. 根据权利要求5所述的半导体集成电路装置，其特征在于， 具备预先设定所述锁死抑制条件的表格。7. 根据权利要求6所述的半导体集成电路装置，其特征在于， 包括用于存储所述表格的信息存储装置。8. 根据权利要求5所述的半导体集成电路装置，其特征在于，还包括锁死测试用的电路结构。9. 根据权利要求2所述的半导体集成电路装置，其特征在于， 在对所述晶体管，降低所述电源电压并且控制所述晶体管的基板电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：荒木裕太，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]