一种磷酸二氢钾类单晶体的生长方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及人工晶体生长领域，是一种新型的ＫＤＰ类晶体的生长方法和装置，即一种溶液循环蒸发生长晶体的方法。它是由容器和温度控制系统两个部分组成，容器部分包括：保温槽、生长缸。其中保温槽分为上下两部分，中间由隔板隔开。下层部分内装蒸馏水，用作水浴保温，为高温区。上层利用空气浴保温，为低温区。生长缸也分为两部分，上盖部分为溶解室，下面部分为生长室。生长室在保温层水浴中，溶解室在保温层空气浴中。本发明专利技术的生长装置可用于磷酸二氢钾、磷酸二氘钾、磷酸二氢铵和磷酸二氘铵及同系列的ＫＤＰ类晶体的生长。使用这种生长装置，可在相对较小的生长槽中，生长出较大尺寸的晶体。生长速度快，晶体质量高，生长设备简单，成本的投入降低，提高了经济效益。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电子功能材料
中的人工晶体和晶体生长领域，尤其是涉及磷酸二氢钾类(KDP类)晶体的生长装置。
技术介绍
KDP类的晶体的发现和研究已有半个多世纪的历史，是一种性能优良的电光 与非线性光学晶体，其半波电压低、电光系数和非线性系数大、透光波段宽、 光学均匀性好。广泛应用于激光的调谐和调频、电光调制、声光调制等高技术 领域。是一种经久不衰的晶体。这类晶体是以离子键为主的多键型晶体， 一般 是用溶液法生长。随着激光约束核聚变(ICF)的发展、子光束的增加和输出能量 的提高，对作为Q开关和二、三倍频的KDP和DKDP晶体的尺寸、数量和光学质 量都提出了更高的要求，特别是在晶体的数量上会大大增加。KDP类晶体的生长方法主要有降温法、恒温流动法和点籽晶快速生长法。这 些方法各有优缺点，采用降温法设备简单、便于操作，但生长过程中不能补充 原料，要生长大的尺寸的晶体就要求设备体积大，生长周期长。恒温流动法可 生长过程中添加原料，在较小的容器中生长较大的晶体。但由于设备复杂，温 度场和浓度场较难控制，使得生长的晶体质量相对难以控制。点籽晶快速生长 也是一种降温法，只是要在高的过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溶液循环蒸发生长ＫＤＰ类晶体的生长方法和装置，主要有容器和温度控制系统两个部分组成，整个生长装置包括：保温槽、生长缸、电机、载晶架、搅拌器、温度传感器、温度控制器、加热器等。

【技术特征摘要】
1.一种溶液循环蒸发生长KDP类晶体的生长方法和装置，主要有容器和温度控制系统两个部分组成，整个生长装置包括保温槽、生长缸、电机、载晶架、搅拌器、温度传感器、温度控制器、加热器等。2. 如权利要求1所述一种溶液循环蒸发生长KDP类晶体的生长方法和装置，其特征在于保温槽的形状为圆柱形，由塑料制作，分为上下两部分，下层部分内装蒸馏水，用水浴保温。上层利用空气浴保温。两层分别控温， 并控制一定的温差。上层为低...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘建国，刘晓利，李月宝，杨书颖，张公军，崔玉杰，陈素珍，
申请(专利权)人：宁波大学，
类型：发明
国别省市：97[中国|宁波]