下载一种磷酸二氢钾类单晶体的生长方法及装置的技术资料

文档序号:4251279

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本发明涉及人工晶体生长领域,是一种新型的KDP类晶体的生长方法和装置,即一种溶液循环蒸发生长晶体的方法。它是由容器和温度控制系统两个部分组成,容器部分包括:保温槽、生长缸。其中保温槽分为上下两部分,中间由隔板隔开。下层部分内装蒸馏水,用作水...
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