【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体制备，特别是涉及一种工艺参数修正方法、一种工艺参数修正装置、一种电子设备以及一种存储介质。
技术介绍
1、单晶硅材料的制备工艺以直拉法(czochralski process/cz)为主，利用直拉法将多晶硅原料提炼成单晶硅。在直拉单晶过程中生成棒状单晶硅晶体的过程分为装料、加热熔料、预调温、调温、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等步骤。生产的设备主要由单晶炉体、热系统、氩气系统、电器系统、水冷系统、真空系统几部分构成。
2、生产过程中，将原料放在石英坩埚中，在单晶炉中加热熔化。当多晶硅原料融化完成后，还不能马上开始引晶，因为这时的温度要高于引晶温度，还必须经过降温。预调温是将温度调整到一个合适的温度，将事先装到钢丝绳末端的籽晶(也就是加工成一定形状的单晶)与液面接触，将籽晶浸入液面熔接，然后通过调温将温度调整到引晶的温度。引晶是在引晶温度下，让熔体先在籽晶的末端生长进行缩颈排除位错，硅分子将沿着籽晶的晶格方向生长，从而形成单晶。放肩是在降低加热器功率降低籽晶提拉速度让晶体横向生长，将晶体直径逐步生长到生成所要求...
【技术保护点】
1.一种工艺参数修正方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测晶体生长处的变形程度，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述变形程度、变形阈值和预设关系系数，确定所述预设长度节点对应的拉速修正量，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述长度功率关系信息包括预设长度节点对应的功率调整量，所述根据多次直拉单晶过程的功率修正量，对所述长度功率关系信息进行修正，得到修正后的长度功率关系信息，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述长度拉速关系信息...
【技术特征摘要】
1.一种工艺参数修正方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测晶体生长处的变形程度，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述变形程度、变形阈值和预设关系系数，确定所述预设长度节点对应的拉速修正量，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述长度功率关系信息包括预设长度节点对应的功率调整量，所述根据多次直拉单晶过程的功率修正量，对所述长度功率关系信息进行修正，得到修正后的长度功率关系信息，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述长度拉速关系信息包括预设长度节点对应的目标拉速，所述根据多次直拉单晶过程的拉速修正量，对所述长度拉速关系信息进行修正，得到修正后的长度...
【专利技术属性】
技术研发人员：王正远，郭力，杨正华，张伟建，李广砥，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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