一种拉制低氧单晶硅的方法技术

本发明专利技术公开了一种拉制低氧单晶硅的方法，具体涉及单晶硅生长技术领域，包括S1、工艺中调整埚转速度，S2、工艺中优化氩气流量，S3、工艺中降低炉压，S4、工艺中炉压参数改为变炉压拉晶，S5、工艺参数中调整晶转参数。本发明专利技术能够降低单晶硅中的氧含量，提高晶体品质，提高引晶和放肩的成活率，降低等径中杂质的吸收，实时监控和自动调整工艺参数，提高生产效率和产品质量，通过多尺度模拟和机器学习算法，优化生长工艺，确保最优生长条件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及单晶硅生长，更具体地说，本专利技术涉及一种拉制低氧单晶硅的方法。

技术介绍

1、单晶硅是半导体材料中的一种重要材料，广泛应用于微电子和光电子领域，特别是在集成电路制造中扮演着关键角色，单晶硅的品质对最终产品的性能有着直接的影响，在单晶硅的生长过程中，氧是最常见的杂质之一，它会在硅晶体中形成硅-氧复合体，影响材料的电学特性和机械稳定性，因此，制备低氧含量的单晶硅对于提高器件性能至关重要。

2、传统的单晶硅生长技术包括柴氏拉晶法和直拉法，这些方法在控制氧含量方面存在一些局限性，例如，坩埚转速高，硅熔体与坩埚壁产生反应，氩气流量小，炉压高，挥发物不能及时抽走，使得单晶硅中氧含量高，品质无法保证。

3、针对上述情况，本专利技术提出一种拉制低氧单晶硅的方法，通过工艺参数的智能调控结合先进的模拟技术，实现了氧含量的显著降低，同时保证了晶体生长的稳定性和产品的一致性，可以有效提高单晶硅的整体品质，满足高端半导体制造领域的严格要求。

技术实现思路

1、为了克服现有技术的上述缺陷，本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种拉制低氧单晶硅的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的拉制低氧单晶硅的方法，其特征在于：S1的具体步骤为：

3.根据权利要求1所述的拉制低氧单晶硅的方法，其特征在于：S2的具体步骤为：

4.根据权利要求1所述的拉制低氧单晶硅的方法，其特征在于：S3的具体步骤为：

5.根据权利要求1所述的拉制低氧单晶硅的方法，其特征在于：S4的具体步骤为：

6.根据权利要求1所述的拉制低氧单晶硅的方法，其特征在于：S5的具体步骤为：

【技术特征摘要】

1.一种拉制低氧单晶硅的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的拉制低氧单晶硅的方法，其特征在于：s1的具体步骤为：

3.根据权利要求1所述的拉制低氧单晶硅的方法，其特征在于：s2的具体步骤为：

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【专利技术属性】
技术研发人员：段旭锋，韩龙，王建利，郭嘉伟，董智彗，
申请(专利权)人：乌海市京运通新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：