碳化硅扩晶设备、碳化硅扩晶方法以及碳化硅扩晶工艺技术

本发明专利技术提供一种碳化硅扩晶设备、碳化硅扩晶方法以及碳化硅扩晶工艺，所述碳化硅扩晶设备包括坩锅以及加热组件。坩锅包括主体以及盖体。主体具有适于放置碳化硅原料的原料空间。盖体适于置于主体的上方，且具有适于碳化硅晶种的容置空间以及位于容置空间下方的扩晶空间。加热组件热耦合于坩锅。扩晶空间的上方具有第一尺寸，扩晶空间的下方具有第二尺寸，且第二尺寸大于第一尺寸。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种扩晶设备、扩晶方法以及扩晶工艺，尤其涉及一种碳化硅扩晶设备、碳化硅扩晶方法以及碳化硅扩晶工艺。

技术介绍

1、相较于单晶硅(single crystal silicon)，单晶碳化硅(single crystal sic)具有较大的能带隙(energy band gap)。并且，在借由其所制作的电子组件中，碳化硅的最大凿穿电压(breakdown voltage)和导热率(thermal conductivity)优于硅(si)的最大凿穿电压和导热率。另外，单晶碳化硅的载子迁移率(carrier mobility)与硅的载子迁移率相当，且其电子饱和漂移速度(electron saturated drift velocity)也较大。由于这些特性，碳化硅将较硅更适于一些电子组件的应用(如：高频、高压、大电流和/或高功率的电子组件)。

2、另外，在晶体(如：晶棒(ingot)或晶种(seed))的制作上，由于碳化硅的熔点(约：2,730℃)远高于硅(约：1,410℃)。因此，常用于制作硅晶体的拉晶法(如：柴氏拉晶法(czochra本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅扩晶设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的碳化硅扩晶设备，其特征在于，其中所述坩锅的材质包括石墨。

3.根据权利要求1所述的碳化硅扩晶设备，其特征在于，其中所述扩晶空间的侧壁为弧斜面。

4.根据权利要求1所述的碳化硅扩晶设备，其特征在于，其中所述扩晶空间具有扩晶厚度，所述第二尺寸与所述第一尺寸的差值为扩晶尺寸，且于所述扩晶厚度与所述扩晶尺寸于相同单位下，所述扩晶厚度与所述扩晶尺寸的比值介于3/4～5/4。

5.根据权利要求1所述的碳化硅扩晶设备，其特征在于，其中所述第二尺寸与所述第一尺寸的差值为扩晶尺寸，且所述扩晶...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅扩晶设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的碳化硅扩晶设备，其特征在于，其中所述坩锅的材质包括石墨。

3.根据权利要求1所述的碳化硅扩晶设备，其特征在于，其中所述扩晶空间的侧壁为弧斜面。

4.根据权利要求1所述的碳化硅扩晶设备，其特征在于，其中所述扩晶空间具有扩晶厚度，所述第二尺寸与所述第一尺寸的差值为扩晶尺寸，且于所述扩晶厚度与所述扩晶尺寸于相同单位下，所述扩晶厚度与所述扩晶尺寸的比值介于3/4～5/4。

5.根据权利要求1所述的碳化硅扩晶设备，其特征在于，其中所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪启航，朱闵圣，徐为哲，方雷，
申请(专利权)人：稳晟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：