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本发明公开了一种拉制低氧单晶硅的方法，具体涉及单晶硅生长技术领域，包括S1、工艺中调整埚转速度，S2、工艺中优化氩气流量，S3、工艺中降低炉压，S4、工艺中炉压参数改为变炉压拉晶，S5、工艺参数中调整晶转参数。本发明能够降低单晶硅中的氧含量...
该专利属于乌海市京运通新材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过乌海市京运通新材料科技有限公司授权不得商用。

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