【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳化硅半导体器件制作，具体是一种高铝参杂超晶格碳化硅差排缺陷阻挡层。
技术介绍
1、碳化硅半导体器件制造的过程中，mocvd外延化学气相沉积薄膜良率普遍偏低，其部分原因来自于碳化硅衬底本身缺陷密度过高导致，在单晶碳化硅的外延mocvd薄膜沉积过程中使用单晶碳化硅衬底，该单晶碳化硅衬底本身即存在10e+19缺陷差排密度，在mocvd外延化学气相沉积使用如此衬底，必出现高密度的缺陷，良率无法提升。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种高铝参杂超晶格碳化硅差排缺陷阻挡层，以解决现有技术中的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种高铝参杂超晶格碳化硅差排缺陷阻挡层，包括碳化硅衬底，所述碳化硅衬底一侧设置有中参杂碳化硅外延层，所述中参杂碳化硅外延层远离碳化硅衬底一侧设置有多个高参杂碳化硅外延层和多个低参杂碳化硅外延层，所述高参杂碳化硅外延层和低参杂碳化硅外延层交替设置。
3、优选的，所述碳化硅衬底的厚度为1um。
4、优...
【技术保护点】
1.一种高铝参杂超晶格碳化硅差排缺陷阻挡层，包括碳化硅衬底(1)，其特征在于：所述碳化硅衬底(1)一侧设置有中参杂碳化硅外延层(2)，所述中参杂碳化硅外延层(2)远离碳化硅衬底(1)一侧设置有多个高参杂碳化硅外延层(3)和多个低参杂碳化硅外延层(4)，所述高参杂碳化硅外延层(3)和低参杂碳化硅外延层(4)交替设置。
2.根据权利要求1所述的一种高铝参杂超晶格碳化硅差排缺陷阻挡层，其特征在于：所述碳化硅衬底(1)的厚度为1um。
3.根据权利要求1所述的一种高铝参杂超晶格碳化硅差排缺陷阻挡层，其特征在于：所述低参杂碳化硅外延层(4)的浓度为1.0...
【技术特征摘要】
1.一种高铝参杂超晶格碳化硅差排缺陷阻挡层，包括碳化硅衬底(1)，其特征在于：所述碳化硅衬底(1)一侧设置有中参杂碳化硅外延层(2)，所述中参杂碳化硅外延层(2)远离碳化硅衬底(1)一侧设置有多个高参杂碳化硅外延层(3)和多个低参杂碳化硅外延层(4)，所述高参杂碳化硅外延层(3)和低参杂碳化硅外延层(4)交替设置。
2.根据权利要求1所述的一种高铝参杂超晶格碳化硅差排缺陷阻挡层，其特征在于：所述碳化硅衬底(1)的厚度为1um。
3.根据权利要求1所述的一种高铝参杂超晶格碳化硅差排缺陷阻挡层，其特征在于：所...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶明发，
申请(专利权)人：煜华苏州微电子设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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