【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体设备，具体地涉及一种气流场及温度场均匀的半导体腔体。
技术介绍
1、在半导体设备例如气相沉积及热处理设备中，半导体腔体内的气体均匀性和温度均匀性对最终产品良率影响较大。
2、在一种现有的此类工艺设备中，半导体腔体类似于授权公告号为cn216864317u的中国技术专利附图2所示出的结构(不同具体工艺的设备在结构上会有不同)，例如晶圆等半导体材料从半导体腔体一侧的传片口传送至腔体内，与传片口相对的另一侧开设有抽气口，用于例如抽真空、排出工艺气体等，在半导体腔体中还设有进气口，用于向腔体内输入工艺气体，从而在半导体材料上方形成所需的气氛，进而能够进行气相沉积过程，在半导体材料表面形成所需的薄膜结构。
3、现有此类设备方案中，抽气口通常与半导体腔体直接连通，流速不均匀问题较为明显(如图4a所示)；另一方面，现有方案中半导体腔体的冷却水道通常只有一层，半导体腔体远离水道的另一侧冷却效果不佳，尤其地，由于此种工艺的半导体腔体中，腔体内部空间体积相对较小、传片口相对较大，相当于传片口将腔体侧壁中间层挖空，阻断...
【技术保护点】
1.一种气流场及温度场均匀的半导体腔体，其特征在于，在所述半导体腔体的一侧开设有传片口(4)和进气孔(5)，所述半导体腔体在与所述传片口(4)相对的一侧开设有抽气口(6)，在所述抽气口(6)处设置有匀流栅板(7)；所述半导体腔体沿着腔体内侧面的上部设置有呈环形的上水道(8)，所述半导体腔体沿着腔体内侧面的下部设置有呈环形的下水道(9)。
2.根据权利要求1所述的气流场及温度场均匀的半导体腔体，其特征在于，所述半导体腔体的腔体内部空间呈扁圆柱状，所述传片口(4)、所述抽气口(6)、所述匀流栅板(7)均呈扁形结构。
3.根据权利要求2所述的气流场及...
【技术特征摘要】
1.一种气流场及温度场均匀的半导体腔体，其特征在于，在所述半导体腔体的一侧开设有传片口(4)和进气孔(5)，所述半导体腔体在与所述传片口(4)相对的一侧开设有抽气口(6)，在所述抽气口(6)处设置有匀流栅板(7)；所述半导体腔体沿着腔体内侧面的上部设置有呈环形的上水道(8)，所述半导体腔体沿着腔体内侧面的下部设置有呈环形的下水道(9)。
2.根据权利要求1所述的气流场及温度场均匀的半导体腔体，其特征在于，所述半导体腔体的腔体内部空间呈扁圆柱状，所述传片口(4)、所述抽气口(6)、所述匀流栅板(7)均呈扁形结构。
3.根据权利要求2所述的气流场及温度场均匀的半导体腔体，其特征在于，所述进气孔(5)为自上而下垂直贯穿所述传片口(4)上侧壁的多个小孔，且所述小孔排列为一横排。
4.根据权利要求3所述的气流场及温度场均匀的半导体腔体，其特征在于，所述半导体腔体包括有腔体主体(1)，在所述腔体主体(1)的上部密封地设置有上密封件(2)，在所述腔体主体(1)的下部设置有用于放置半导体材料(w)的下支撑件(3)。
5.根据权利要求4所述的气流场及温度场均匀的半导体腔体，其特征在于，所述匀流栅板(7)上具有水平分布的...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘杰，刘闻敏，贾海立，
申请(专利权)人：盛吉盛半导体科技北京有限公司，
类型：新型
国别省市：
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