一种具有空心阵列的自支撑掺硼金刚石电极及其制备方法技术

本发明专利技术属于电极材料技术领域，涉及一种掺硼金刚石电极及其制备方法。一种具有空心阵列的自支撑掺硼金刚石电极，包括下层的平面掺硼金刚石厚膜和上层的空心掺硼金刚石阵列。本发明专利技术提供的具有空心阵列的自支撑掺硼金刚石电极相比于实心纳米阵列结构，空心纳米阵列进一步增大了电极的活性比表面积，有利于实现更优异的电化学性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电极材料，涉及一种掺硼金刚石电极及其制备方法。

技术介绍

1、与传统的碳电极或金属电极相比，掺硼金刚石电极具有许多优良特性，如更宽的电势窗口、更低的背景电流、更高的物理/化学稳定性、更强的抗污染能力等，在电化学领域表现出巨大的应用潜力。

2、由于具有极高的硬度和化学惰性，掺硼金刚石电极的表面形貌很难通过机械加工或湿化学腐蚀来改变，从而面临着电化学活性比表面积小，灵敏度低的挑战。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种具有空心阵列的自支撑掺硼金刚石电极，大幅度提高了电极的活性比表面积，进而提高了电极的响应灵敏度。

2、本专利技术解决其技术问题采用的技术方案如下：一种具有空心阵列的自支撑掺硼金刚石电极，包括下层的平面掺硼金刚石厚膜和上层的空心掺硼金刚石阵列。

3、优选地，所述平面掺硼金刚石厚膜厚度约为300～500μm。

4、优选地，所述空心掺硼金刚石阵列的独立单元为空心纳米棒。

5、优选地，所述空心掺硼金刚石阵列中空心本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有空心阵列的自支撑掺硼金刚石电极，其特征在于：包括下层的平面掺硼金刚石厚膜和上层的空心掺硼金刚石阵列。

2.根据权利要求1所述的具有空心阵列的自支撑掺硼金刚石电极，其特征在于：所述平面掺硼金刚石厚膜厚度为300～500μm。

3.根据权利要求1所述的具有空心阵列的自支撑掺硼金刚石电极，其特征在于：所述空心掺硼金刚石阵列的独立单元为空心纳米棒。

4.根据权利要求1所述的具有空心阵列的自支撑掺硼金刚石电极，其特征在于：所述空心掺硼金刚石阵列中空心纳米棒的长度为1～2μm。

5.根据权利要求1所述的具有空心阵列的自支撑掺硼金刚石电极，其...

【技术特征摘要】

1.一种具有空心阵列的自支撑掺硼金刚石电极，其特征在于：包括下层的平面掺硼金刚石厚膜和上层的空心掺硼金刚石阵列。

2.根据权利要求1所述的具有空心阵列的自支撑掺硼金刚石电极，其特征在于：所述平面掺硼金刚石厚膜厚度为300～500μm。

3.根据权利要求1所述的具有空心阵列的自支撑掺硼金刚石电极，其特征在于：所述空心掺硼金刚石阵列的独立单元为空心纳米棒。

4.根据权利要求1所述的具有空心阵列的自支撑掺硼金刚石电极，其特征在于：所述空心掺硼金刚石阵列中空心纳米棒的长度为1～2μm。

5.根据权利要求1所述的具有空心阵列的自支撑掺硼金刚石电极，其特征在于：所述空心掺硼金刚石阵列中空心纳米棒的内直径为100～200nm。

6.根据权利要求1所述的具有空心阵列的自支撑掺硼金刚石电极，其特征在于：所述空心掺硼金刚石阵列中空心纳米棒的壁厚为50～150nm。

7.一种如权利要求1所述的具...

【专利技术属性】
技术研发人员：周雪松，盖志刚，王宜豹，柴旭，郭风祥，张丽丽，夏广森，陈志刚，张妹，刘寿生，孙小玲，王韶琰，张学宇，曹琳，周扬，
申请(专利权)人：山东省科学院海洋仪器仪表研究所，
类型：发明
国别省市：