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本技术涉及一种气流场及温度场均匀的半导体腔体,属于半导体设备技术领域,在半导体腔体的一侧开设有传片口和进气孔,半导体腔体在与传片口相对的一侧开设有抽气口,在抽气口处设置有匀流栅板;半导体腔体沿着腔体内侧面的上部设置有呈环形的上水道,半导体腔...该专利属于盛吉盛半导体科技(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过盛吉盛半导体科技(北京)有限公司授权不得商用。
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本技术涉及一种气流场及温度场均匀的半导体腔体,属于半导体设备技术领域,在半导体腔体的一侧开设有传片口和进气孔,半导体腔体在与传片口相对的一侧开设有抽气口,在抽气口处设置有匀流栅板;半导体腔体沿着腔体内侧面的上部设置有呈环形的上水道,半导体腔...