一种双栅极的IGBT芯片结构制造技术

本技术提供了一种双栅极的IGBT芯片结构，属于IGBT芯片技术领域，该双栅极的IGBT芯片结构，其特征在于，包括N型衬底,所述N型衬底的上表面开设有多个宽沟槽,所述宽沟槽的内部填充有中部绝缘物,所述宽沟槽的内壁两侧分别设置有第一栅极和第二栅极,所述中部绝缘物位于所述宽沟槽内的所述第一栅极和第二栅极之间；所述第一栅极和第二栅极向外引出所述IGBT芯片的栅极；所述N型衬底的底部依次设置有N型电场中止层、P型注入区,所述P型注入区的下部设置有底层金属层并向外引出所述IGBT芯片的集电极，本技术能够解决传统IGBT芯片电导调制效果差，导通压降和通态损耗高的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于igbt芯片，具体而言，涉及一种双栅极的igbt芯片结构。

技术介绍

1、igbt是双极型晶体管(bjt)和mosfet技术的结合。它继承了bjt的高电流承受能力和低导通压降，同时也继承了mosfet的高输入阻抗和低开关损耗。这种结合使得igbt在高压高电流应用中具有卓越的性能。igbt的名称中包含"绝缘栅"一词，是因为它的栅极与晶体管的主电流通道之间有一层绝缘氧化物，类似于mosfet。这种绝缘栅技术允许igbt具有高输入阻抗和低输入电流，使其易于控制。igbt广泛用于各种功率开关应用，包括电机驱动、逆变器、变频器、电焊机、电力变换器和交流电源等。其高电流承受能力和高电压特性使其在这些应用中非常受欢迎。

2、igbt(insulated gate bipolar transistor)芯片作为一种重要的功率半导体器件，在高压高电流应用中具有广泛的应用，但其性能在电导调制效果、导通压降和通态功耗等方面存在一些不足。首先，电导调制效果受到限制，导致在导通状态下电流与栅极控制电压之间的响应不够线性，影响了精确的电流控制。其次，igbt在导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双栅极的IGBT芯片结构，其特征在于，包括N型衬底(1),所述N型衬底(1)的上表面开设有多个宽沟槽(2),所述宽沟槽(2)的内部填充有中部绝缘物(3),所述宽沟槽(2)的内壁两侧分别设置有第一栅极(4)和第二栅极(5),所述中部绝缘物(3)位于所述宽沟槽(2)内的所述第一栅极(4)和第二栅极(5)之间；所述第一栅极(4)和第二栅极(5)向外引出所述IGBT芯片的栅极(14)；所述N型衬底(1)的底部依次设置有N型电场中止层(6)、P型注入区(7),所述P型注入区(7)的下部设置有底层金属层(8)并向外引出所述IGBT芯片的集电极(9)。

2.根据权利要求1所述的一种...

【技术特征摘要】

1.一种双栅极的igbt芯片结构，其特征在于，包括n型衬底(1),所述n型衬底(1)的上表面开设有多个宽沟槽(2),所述宽沟槽(2)的内部填充有中部绝缘物(3),所述宽沟槽(2)的内壁两侧分别设置有第一栅极(4)和第二栅极(5),所述中部绝缘物(3)位于所述宽沟槽(2)内的所述第一栅极(4)和第二栅极(5)之间；所述第一栅极(4)和第二栅极(5)向外引出所述igbt芯片的栅极(14)；所述n型衬底(1)的底部依次设置有n型电场中止层(6)、p型注入区(7),所述p型注入区(7)的下部设置有底层金属层(8)并向外引出所述igbt芯片的集电极(9)。

2.根据权利要求1所述的一种双栅极的igbt芯片结构，其特征在于，相邻的两个所述宽沟槽(2)之间自上而下依次设置有n+型源区(10)和p型基区(11)形成mos结构。

3.根据权利要求2所述的一种双栅极的igbt芯片结构，其特征在于，在所述mos结构上设置有顶层金属层(12),并通过开设接触孔引出所述igbt芯片的发射极(13)。

4.根据权利要求2所述的一种双栅极的igbt芯片结构，其特征在于，所述p型基区(11)内设置有p型基...

【专利技术属性】
技术研发人员：王丕龙，王新强，杨玉珍，
申请(专利权)人：苏州创芯致尚微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：