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本技术提供了一种双栅极的IGBT芯片结构，属于IGBT芯片技术领域，该双栅极的IGBT芯片结构，其特征在于，包括N型衬底,所述N型衬底的上表面开设有多个宽沟槽,所述宽沟槽的内部填充有中部绝缘物,所述宽沟槽的内壁两侧分别设置有第一栅极和第二栅...
该专利属于苏州创芯致尚微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州创芯致尚微电子有限公司授权不得商用。

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