一种SIC MOSFET器件加工清洗装置制造方法及图纸

本技术涉及SIC MOSFET器件清洗技术领域，公开了一种SIC MOSFET器件加工清洗装置，包括清洗箱和清洗机构；所述清洗箱的内侧设有隔板；所述清洗机构包括移动车、移动板、清洗盒和清洁组件；所述清洁组件包括加固板、收集盒、安装架、清洁泵、清洁吸嘴、导管件、驱动电机、齿轮和齿条；通过设置的清洗箱和清洗机构，清洗盒、清洁泵、清洁吸嘴和收集盒，能够将对SIC MOSFET器件清洗的同时，并可将清洁产生的杂质进行清理，驱动电机、齿轮、齿条和导向块配合使用，能够控制加固板在清洗箱上进行水平移动，升降电机、丝杆传动装置和支撑座配合能够控制清洗盒进行升降，清洁风扇能够对清洗之后的SIC MOSFET器件进行风干。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及sic mosfet器件清洗，尤其涉及一种sic mosfet器件加工清洗装置。

技术介绍

1、sic mosfet（碳化硅mos场效应晶体管）是一种基于碳化硅（sic）半导体材料制造的金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）器件，碳化硅具有优异的导电和散热特性，相比传统的硅（si）材料，碳化硅具有更高的电子迁移率和热稳定性，因此可以实现更高的工作温度、更低的导通电阻以及更高的开关速度，sic mosfet器件广泛应用于高功率、高频率和高温环境的电力电子领域，例如电动汽车、太阳能逆变器、工业变频器等，能够提高系统效率和可靠性。

2、sic mosfet器件在生产完成之后，需要对其进行清洁，因此，需要一种sic mosfet器件加工清洗装置。

3、现有的sic mosfet器件加工清洗装置在使用时具有一定的弊端，现有的sicmosfet器件加工清洗装置在使用时，通常都是直接将sic mosfet器件放入到清洗装置的内部使用清洗液进行清洗，清洗的过程中使得sic mosfet器件上的杂质进入清洗液中，从而容易粘附到sic 本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SIC MOSFET器件加工清洗装置，其特征在于，包括：清洗箱（1）和设置在清洗箱（1）的清洗机构；

2.如权利要求1所述的一种SIC MOSFET器件加工清洗装置，其特征在于，所述清洗盒（7）的外表面两侧均设有通槽，所述清洗盒（7）的设有若干组可放置的固定板架，所述固定板架上可固定放置若干组SIC MOSFET器件，所述第一清洗槽（3）的内部存储有可对SICMOSFET器件进行清洗的清洗液，所述第二清洗槽（4）的内部设有可对SIC MOSFET器件进行清洁的纯净水。

3.如权利要求2所述的一种SIC MOSFET器件加工清洗装置，其特征在于，所述加固板（...

【技术特征摘要】

1.一种sic mosfet器件加工清洗装置，其特征在于，包括：清洗箱（1）和设置在清洗箱（1）的清洗机构；

2.如权利要求1所述的一种sic mosfet器件加工清洗装置，其特征在于，所述清洗盒（7）的外表面两侧均设有通槽，所述清洗盒（7）的设有若干组可放置的固定板架，所述固定板架上可固定放置若干组sic mosfet器件，所述第一清洗槽（3）的内部存储有可对sicmosfet器件进行清洗的清洗液，所述第二清洗槽（4）的内部设有可对sic mosfet器件进行清洁的纯净水。

3.如权利要求2所述的一种sic mosfet器件加工清洗装置，其特征在于，所述加固板（8）的底端对称设置有两组导向块（17），所述清洗箱（1）上端的开设有与导向块（17）相对应的导向槽。

4.如权利要求1所述的一种sic mosfe...

【专利技术属性】
技术研发人员：王丕龙，王新强，谭文涛，杨玉珍，
申请(专利权)人：苏州创芯致尚微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：