一种通过sin插入层优化GaN器件背面欧姆接触结构制造技术

本技术提供了一种通过sin插入层优化GaN器件背面欧姆接触结构，属于GaN器件技术领域，该通过sin插入层优化GaN器件背面欧姆接触结构包括GaN基板以及置于所述GaN基板背面的sin层，其中，所述sin层设置有凹凸结构，所述凹凸结构具体为形成于所述sin层表面的凸起，所述GaN基板还设置有金属接触层，所述金属接触层与所述凹凸结构接触，所述金属接触层设置有与所述sin层表面的凸起相匹配的结构，所述sin层与所述金属接触层通过所述凹凸结构实现物理互锁；所述凹凸结构在所述sin层表面周期性分布，本技术解决了在高温或高压条件下的接触层剥离现象，提升了器件的长期可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于gan器件，具体而言，涉及一种通过sin插入层优化gan器件背面欧姆接触结构。

技术介绍

1、氮化镓(gan)器件因其卓越的物理特性，如宽禁带、高击穿电场、高饱和电子迁移率等，近年来在高性能电子和光电子领域获得了广泛应用。尤其是在高功率电子器件、射频器件以及固态照明中，gan器件展现出了无可比拟的优势。gan器件主要分为两大类：基于异质结的高电子迁移率晶体管(hemts)和金属-半导体场效应晶体管(mesfets)。这些器件的核心在于其能隙宽、耐高温和高频性能优越，使其成为下一代功率转换和无线通信系统的关键组件。在gan器件的结构设计中，欧姆接触是实现器件低电阻连接的关键环节，直接影响着器件的导通电阻、热性能及整体效率。传统的欧姆接触结构通常依赖于金属与半导体的直接接触，但由于gan与大多数金属之间的功函数不匹配，以及gan表面的自然氧化层，导致接触电阻较高，影响器件性能。为了解决这一问题，引入sin(通常指氮化硅，sin_x)插入层成为了一种常用的策略。sin层作为一种介电层，不仅能提供良好的绝缘特性，而且通过合适的掺杂和工艺处理，可以作为欧姆本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种通过sin插入层优化GaN器件背面欧姆接触结构，包括GaN基板(10)以及置于所述GaN基板(10)背面的sin层(20)，其特征在于，所述sin层(20)设置有凹凸结构(30)，所述凹凸结构(30)具体为形成于所述sin层(20)表面的凸起，所述GaN基板(10)还设置有金属接触层(40)，所述金属接触层(40)与所述凹凸结构(30)接触，所述金属接触层(40)设置有与所述sin层(20)表面的凸起相匹配的结构，所述sin层(20)与所述金属接触层(40)通过所述凹凸结构(30)实现物理互锁；

2.根据权利要求1所述的一种通过sin插入层优化GaN器件背面欧姆接触结...

【技术特征摘要】

1.一种通过sin插入层优化gan器件背面欧姆接触结构，包括gan基板(10)以及置于所述gan基板(10)背面的sin层(20)，其特征在于，所述sin层(20)设置有凹凸结构(30)，所述凹凸结构(30)具体为形成于所述sin层(20)表面的凸起，所述gan基板(10)还设置有金属接触层(40)，所述金属接触层(40)与所述凹凸结构(30)接触，所述金属接触层(40)设置有与所述sin层(20)表面的凸起相匹配的结构，所述sin层(20)与所述金属接触层(40)通过所述凹凸结构(30)实现物理互锁；

2.根据权利要求1所述的一种通过sin插入层优化gan器件背面欧姆接触结构，其特征在于，所述凹凸结构(30)的深度范围为20nm至100nm，宽度范围为80nm至400nm。

3.根据权利要求2所述的一种通过sin插入层优化gan器件背面欧姆接触结构，其特征在于，所述凹凸结构(30)的截面形状为柱状、锥形、金字塔形或波纹形，所述凹凸结构(30)通过纳米压印、电子束光刻或激光干涉光刻技术形成。

4.根据权利要求3所述的一种通过sin插入...

【专利技术属性】
技术研发人员：王丕龙，王新强，谭文涛，杨玉珍，
申请(专利权)人：苏州创芯致尚微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：