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本技术提供了一种通过sin插入层优化GaN器件背面欧姆接触结构，属于GaN器件技术领域，该通过sin插入层优化GaN器件背面欧姆接触结构包括GaN基板以及置于所述GaN基板背面的sin层，其中，所述sin层设置有凹凸结构，所述凹凸结构具体为...
该专利属于苏州创芯致尚微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州创芯致尚微电子有限公司授权不得商用。

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