一种GaN二极管规整收集装置制造方法及图纸

本技术涉及二极管规整收集装置技术领域，公开了一种GaN二极管规整收集装置，包括底座和二极管本体，两个放置台的底部均活动式连接有两个活动杆，两个活动杆的一端固定式连接有连接杆，连接杆的一侧固定式连接有握把，活动杆的顶部固定式连接有多个滑板，滑板的顶部固定式连接有挡板，放置台的顶部加工有多个放置槽，挡板位于放置槽的顶部，通过向外拉动握把，握把将带动连接杆活动，连接杆将带动两个活动杆活动，两个活动杆将带动多个滑板在限位槽的内部活动，多个滑板将带动多个挡板移动脱离放置槽的顶部，进而方便取出二极管本体，通过将二极管本体的两端放置在放置槽的内部，从而方便对二极管规整收集。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及二极管规整收集装置，具体为一种gan二极管规整收集装置。

技术介绍

1、gan二极管是一种使用氮化镓材料制造的射频二极管，gan材料具有优异的载流子迁移率和饱和漂移速度特性，这使得氮化镓射频二极管能在高频率和高功率应用中提供优秀的性能，这类二极管广泛应用于无线通信、雷达系统、微波通信和宇航电子等领域，它们可以用于放大、混频、检波和调制等射频电路中，相比于传统的硅或砷化镓材料，氮化镓射频二极管具有更高的工作频率和功率密度能力，能够提供更高的增益和更低的失真。

2、针对现有的相关技术，专利技术人认为存在以下缺陷：现有技术gan二极管一般堆放在一起，从而容易造成挤压，导致gan二极管的两端发出变形，同时堆放在一起不方便取用gan二极管。

技术实现思路

1、为解决现有的gan二极管堆放在一起造成挤压，导致gan二极管的两端发出变形，同时堆放在一起不方便取用gan二极管的技术问题，本技术提供一种gan二极管规整收集装置。

2、本技术采用以下技术方案实现：一种gan二极管规整收集装置，包本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种GaN二极管规整收集装置，包括底座（1）和二极管本体（2），其特征在于，所述底座（1）的顶部固定式连接有两个竖板（3），两个所述竖板（3）的顶部均固定式连接有放置台（4），两个所述放置台（4）的底部均活动式连接有两个活动杆（8），两个所述活动杆（8）的一端固定式连接有连接杆（7），所述连接杆（7）位于放置台（4）的一端，所述连接杆（7）的一侧固定式连接有握把（6），所述活动杆（8）的顶部固定式连接有多个滑板（9），所述滑板（9）活动式连接在放置台（4）的内部，所述滑板（9）的顶部固定式连接有挡板（10），所述挡板（10）活动式连接在放置台（4）的顶部，所述放置台（4）的顶部加工有...

【技术特征摘要】

1.一种gan二极管规整收集装置，包括底座（1）和二极管本体（2），其特征在于，所述底座（1）的顶部固定式连接有两个竖板（3），两个所述竖板（3）的顶部均固定式连接有放置台（4），两个所述放置台（4）的底部均活动式连接有两个活动杆（8），两个所述活动杆（8）的一端固定式连接有连接杆（7），所述连接杆（7）位于放置台（4）的一端，所述连接杆（7）的一侧固定式连接有握把（6），所述活动杆（8）的顶部固定式连接有多个滑板（9），所述滑板（9）活动式连接在放置台（4）的内部，所述滑板（9）的顶部固定式连接有挡板（10），所述挡板（10）活动式连接在放置台（4）的顶部，所述放置台（4）的顶部加工有多个放置槽（11），所述挡板（10）位于放置槽（11）的顶部。

2.根据权利要求1所述的一种gan二极管规整收集装置，其特征在于，所述底座（1）的顶部固定式连接有多个支撑柱（5），所述二极管本体（2）的中部位于支撑柱（5）的顶部，所述二极管本体（2）的两端位于放置槽（11）的内部。

3.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：王丕龙，王新强，谭文涛，杨玉珍，
申请(专利权)人：苏州创芯致尚微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：