OVL套刻标识图形及提高套刻误差量测准确性的方法技术

本发明专利技术提供一种OVL套刻标识图形，包括：间隔设置的目标OVL图形与参考OVL图形，目标OVL图形包括前层光栅结构及当层光栅结构，其包括紧邻设置的第一光栅图形与第二光栅图形，且第一光栅图形包括多个间隔排列的第一条形光栅，第二光栅图形包括多个间隔排列的述第二条形光栅，当层光栅结构包括紧邻设置的第三光栅图形与第四光栅图形，且第三光栅图形包括多个间隔排列的第三条形光栅，第四光栅图形包括多个的间隔排列的第四条形光栅；参考OVL图形包括前层光栅结构。通过本发明专利技术解决了现有的外围Fin形貌差异造成的前层光栅结构对称性不好的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，特别是涉及一种ovl套刻标识图形及提高套刻误差量测准确性的方法。

技术介绍

1、伴随集成电路制造技术的进步，半导体器件关键尺寸(cd)持续微缩，基于193nm波长的深紫外线光源(duv)浸没式光刻机最小分辨率为76nm，已经不能满足半导体产业持续发展的需求。为进一步降低光刻机的波长，采用了紫外线(euv)光源，然而，上述方法虽然可以大幅提高光刻机的分辨率，但受限于euv光刻机技术、相关光刻材料等原因，euv光刻技术并未能在整个半导体制造领域广泛运用。为了获得更小的cd，自对准双重成像(sadp)或自对准四重成像(saqp)技术应运而生，并在先进半导体技术节点得到广泛应用。自对准多重成像技术首先进行一次光刻和刻蚀，形成图形，然后在该图形上均匀沉积特定厚度的薄膜，随后通过高选择比的刻蚀把最开始形成的图形去除，并使沉积于侧壁的图形保留下来，并最终通过刻蚀形成“鳍”式结构(fin)。这样便通过一次光刻形成了图形周期仅有光刻图形周期一半的图形结构，单位面积图形密度翻倍。

2、自对准多重成像不同于原始的一次光刻-刻蚀成形技术，对传本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种OVL套刻标识图形，其特征在于，包括：间隔设置的目标OVL图形与参考OVL图形，

2.根据权利要求1所述的OVL套刻标识图形，其特征在于，所述第一条形光栅与所述第二条形光栅除延伸方向不同外，二者的宽度、数目及周期相同，且宽度为a，200nm<a<800nm，数目介于4到10之间，周期为b，400nm<b<1600nm。

3.根据权利要求1所述的OVL套刻标识图形，其特征在于，所述第三条形光栅与所述第四条形光栅除延伸方向不同外，二者的宽度、数目及周期相同，且宽度为c，200nm<c<800nm，数目介于4到10之间，周期为...

【技术特征摘要】

1.一种ovl套刻标识图形，其特征在于，包括：间隔设置的目标ovl图形与参考ovl图形，

2.根据权利要求1所述的ovl套刻标识图形，其特征在于，所述第一条形光栅与所述第二条形光栅除延伸方向不同外，二者的宽度、数目及周期相同，且宽度为a，200nm<a<800nm，数目介于4到10之间，周期为b，400nm<b<1600nm。

3.根据权利要求1所述的ovl套刻标识图形，其特征在于，所述第三条形光栅与所述第四条形光栅除延伸方向不同外，二者的宽度、数目及周期相同，且宽度为c，200nm<c<800nm，数目介于4到10之间，周期为d，400nm<d<1600nm。

4.根据权利要求1所述的ovl套刻标识图形，其特征在于，所述目标ovl图形与所述参考ovl图形之间的间隔大于1μm小于50μm。

5.根据权利要求1所述的ovl套刻标识图形，其特征在于，所述第一光栅图形的数目为2，所述第二光栅图形的数目为2，且在所述前层光栅结构中，2个所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张瑜，卞玉洋，刘必秋，张聪，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：