高耐受组合波连续冲击能力的压敏电阻制造技术

本发明专利技术涉及一种高耐受组合波连续冲击能力的压敏电阻，由以ＺｎＯ为主要成分且含有Ｂｉ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、Ｃｏ２Ｏ３、ＭｎＣＯ２、Ｎｉ２Ｏ３和Ｃｒ２Ｏ３的组成料烧结而成，所述的组成料中还添加有ＧｅＯ２、ＳｎＯ２或ＰｂＯ２三种氧化物中的至少一种。采用本发明专利技术可以使液相在更低温度形成，使反应进行的更充分，应力积累更少，结构向更均匀的方向发展，从而使得压敏电阻拥有更好的耐连续流涌电流冲击能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种压敏电阻，尤其是一种高耐受组合波连续冲击能力的压敏电阻。
技术介绍
氧化锌压敏电阻从配方上来讲可以分为Zn-Bi系和ZnO-Pr系两大类，其中Zn-Bi 系氧化锌压敏电阻占主导地位。在Zn-Bi系氧化锌压敏电阻中又可以分为低压压敏电阻和 中高压压敏电阻。低压压敏电阻的晶粒尺寸大、电压梯度低(大约为20 80V/mm)，而中高 压压敏电阻的特点是晶粒尺寸较小、电压梯度较高(大约为100 400V/mm)，中高压压敏电 阻在大电流下的限制电压水平较低，单脉冲窄波浪涌的防护能力较强。 目前，现有技术中，氧化锌压敏电阻是在ZnO粉体中按一定的摩尔百分比掺入少 量的Bi203、Sb203、Co203、MnC02、Ni203和Cr203等添加剂，再将此粉料经混合球磨、造粒、 成型、烧结等工艺制成。但是，在烧结的过程中，ZnO晶粒生长不均的现象以及Bi203的相 恋过程，会产生微观结构缺陷，从而使得压敏电阻耐受组合波连续冲击的能力较弱。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提出一种均匀性好、电性能高、并且能够制造出具有 高耐受组合波连续冲击能力的压敏电阻。本专利技术所采用的技术方案为一种高耐受组合波连续冲击能力的压敏电阻，所述的高耐受组合波连续冲击能力的压敏电阻是由以ZnO为主要成分且含有Bi203、 Sb203、Co203、 MnC02、 Ni203和Cr203的组成料烧结而成，所述的组成料中ZnO的摩尔百分比为80 97^，Bi203的摩尔百分比为0. 3 1. 2% ， Sb203的摩尔百分比为0. 5 2. 0% ， Co203的摩尔百分比为0. 1 1. 0%，MnC02的摩尔百分比为0. 05 1. 0%， Ni203的摩尔百分比为0. 05 0. 6%， Cr203的摩尔百分比为0. 05 0. 6% ，所述的组成料中还添加有摩尔百分比为0. 1 1. 0%的Ge02、Sn02或Pb02三种氧化物中的至少一种。 本专利技术将所述的组成料的摩尔百分比换算成重量百分比后，按重量百分比称量，工艺流程包括球磨、造粒、成型、烧结、被银电极、焊接导线和涂绝缘层工艺。 本专利技术的有益效果是在原组成料中掺如了 Ge、Sn、Pb中的至少一种氧化物，可以使液相在更低温度形成，使反应进行的更充分，应力积累更少，结构向更均匀的方向发展，从而使得压敏电阻拥有更好的耐连续流涌电流冲击能力。具体实施方式 本专利技术为一种高耐受组合波连续冲击能力的压敏电阻，所述的高耐受组合波连续 冲击能力的压敏电阻是由以ZnO为主要成分且含有Bi203、Sb203、Co203、MnC02和Ni203的 组成料烧结而成，所述的组成料中ZnO的摩尔百分比为80 97%， Bi203的摩尔百分比为 0. 3 1. 2%， Sb203的摩尔百分比为0. 5 2. 0%， Co203的摩尔百分比为0. 1 1. 0%， MnC02的摩尔百分比为0. 05 1. 0%，Ni203的摩尔百分比为0. 05 0. 6%，Cr203的摩尔百分比为0. 05 0. 6%，所述的组成料中还添加有摩尔百分比为0. 1 1. 0X的Ge02、Sn02或Pb02三种氧化物中的至少一种。 下面具体的利用实施例来对本专利技术进行说明 对比例(现有技术)将ZnO、 Bi203、 Sb203、 Co203、 MnC02、 Ni203、 Cr203、 AgN03、 Al (N03) 3 9H20依次按 摩尔百分比为95. 698%、0. 816%、1. 150%、0. 824%、0. 623%、0. 504%、0. 381%、0. 002%、 0. 002%组成基本配方，依以下工艺步骤制作成氧化锌压敏电阻 1、磨细 将上述材料用搅拌球磨机球磨3小时，再加入lwt^聚乙烯醇粘合剂，混合均匀； 2、造粒、成型采用喷雾干燥机造料，干压成型，坯体直径为18mm，厚度为3. 2mm ; 3、烧结 烧结的温度为118(TC，时间为2小时； 4、被银电极 银电极烧成温度580 °C ，时间10分钟。 实施例1 : 在对比例所述的基本配方中添加摩尔百分比为0. 1%、0. 25%、0. 5%或1.0%的 Ge02，按对比例所述的工艺条件制成压敏电阻。 实施例2 : 在对比例所述的基本配方中添加摩尔百分比为0. 1%、0. 25%、0. 5%或1.0%的Sn02，按对比例所述的工艺条件制成压敏电阻。 实施例3 : 在对比例所述的基本配方中添加摩尔百分比为0. 1%、0. 25%、0. 5%或1.0%的Pb02，按对比例所述的工艺条件制成压敏电阻。 实施例4 : 在对比例所述的基本配方中同时添加一定摩尔百分比的Ge02、 Sn02和Pb02三种氧化物中的任意两种，按对比例所述的工艺条件制成压敏电阻。 实施例5 : 在对比例所述的基本配方中同时添加一定摩尔百分比的Ge02、 Sn02和Pb02三种 氧化物，按对比例所述的工艺条件制成压敏电阻。 将对比例、实施例1、实施例2、实施例3、实施例4、实施例5所制得的压敏电阻进行性能测试，测试的结果如下表所示 <table>table see original document page 5</column></row><table> 上表中所述的漏电流为在83%比例电压下测试所得，所述的组合波开路电压波形 为1. 2/50ii s，短路电流波形为8/20 ii s。 根据上表所示的测试结果可以明显的看出，实施例1、实施例2、实施例3、实施例 4、实施例5所制的压敏电阻在耐受组合波冲击的能力方面要远高于对比例，即现有技术所 制的的压敏电阻的耐受组合波冲击的能力。 以上述依据本专利技术的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完 全可以在不偏离本项专利技术技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高耐受组合波连续冲击能力的压敏电阻，其特征在于：所述的高耐受组合波连续冲击能力的压敏电阻是由以ＺｎＯ为主要成分且含有Ｂｉ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、Ｃｏ２Ｏ３、ＭｎＣＯ２、Ｎｉ２Ｏ３和Ｃｒ２Ｏ３的组成料烧结而成，所述的组成料中ＺｎＯ的摩尔百分比为８０～９７％，Ｂｉ２Ｏ３的摩尔百分比为０．３～１．２％，Ｓｂ２Ｏ３的摩尔百分比为０．５～２．０％，Ｃｏ２Ｏ３的摩尔百分比为０．１～１．０％，ＭｎＣＯ２的摩尔百分比为０．０５～１．０％，Ｎｉ２Ｏ３的摩尔百分比为０．０５～０．６％，Ｃｒ２Ｏ３的摩尔百分比为０．０５～０．６％，所述的组成料中还添加有摩尔百分比为０．１～１．０％的ＧｅＯ２、ＳｎＯ２或ＰｂＯ２三种氧化物中的至少一种。

【技术特征摘要】
一种高耐受组合波连续冲击能力的压敏电阻，其特征在于所述的高耐受组合波连续冲击能力的压敏电阻是由以ZnO为主要成分且含有Bi2O3、Sb2O3、Co2O3、MnCO2、Ni2O3和Cr2O3的组成料烧结而成，所述的组成料中ZnO的摩尔百分比为80～97％，Bi2O3的摩尔百分比为0.3～1.2％，Sb2O3的...

【专利技术属性】
技术研发人员：壮岳峰，屠克俭，
申请(专利权)人：兴勤常州电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]