【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种主要用来保护半导体元件和电子电路免受冲击或噪音的电压非线性电阻器陶瓷组成物和采用了这种电压非线性电阻器陶瓷组成物的电压非线性电阻器元件。
技术介绍
近些年来,由半导体元件和LSI等构成的电子电路高性能化,在各种用途、环境中使用。另一方面,这些半导体元件和电子电路由低电压驱动的情形较多,施加过大的电压时,会发生破坏。特别是,由于闪电等而产生的异常的冲击电压和噪音、静电等,这个电压施加在半导体元件等上时,会发生破坏。这样的问题使用在各种环境下的便携设备中特别显著。 为了应对这样的状况,多数情形下与半导体元件等并联连接地设置保护用元件。在给上述半导体元件等施加通常的电压的情形下,该保护用元件的电阻大,电流主要流过上述半导体元件等,该半导体元件正常运行。另一方面,在施加过大的电压的情形下,该保护用元件的电阻减小。因此,电流主要流过该保护元件,抑制了在该半导体元件中流过过大的电流。从而抑制了由于在该半导体元件中流过过大的电流而破坏。 这样的保护用元件的电流~电压特性需要具有非线性的特性。即,具有电阻随电压变化,例如在某一个电压以上其电阻值急速减小的 ...
【技术保护点】
一种电压非线性电阻器陶瓷组成物,其特征在于, 以氧化锌为主成分,并且包含: 0.05~5原子%的Pr、 0.1~20原子%的Co、 0.01~5原子%的Ca、和 0.0001~0.0008原子%的Na。
【技术特征摘要】
JP 2007-3-30 2007-0927121.一种电压非线性电阻器陶瓷组成物,其特征在于,以氧化锌为主成分,并且包含0.05~5原子%的Pr、0.1~20原子%的Co、0.01~5原子%的Ca、和0.0001~0.0008原子%的Na。2.一种电压非线性电阻器陶瓷组成物,其特征在于,以氧化锌为主成分,并且包含0.05~5原子%的Pr、0.1~20原子%的Co、0.01~5.00原子%的Ca、0.0001~0.0008原子%的Na、0.001~1原子%的K、0.001~0.5原子%的Al、0...
【专利技术属性】
技术研发人员:吉田尚义,田中均,松冈大,
申请(专利权)人:TDK株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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