扁平式封装双绝缘栅双极型晶体管器件制造技术

本实用新型专利技术涉及封装元器件技术领域，尤其是一种扁平式封装双绝缘栅双极型晶体管器件，具有引线框架，引线框架上设置有两个绝缘栅双极功率管芯片，引线框架的外围塑封绝缘树脂形成扁平结构，下端引出有功能引脚，功能引脚包括引脚一号、引脚二号、引脚三号、引脚四号和引脚五号，引脚二号和引脚四号分别作为两个绝缘栅双极功率管芯片的控制门极，引脚一号是作为绝缘栅双极功率管芯片的发射极与另一个绝缘栅双极功率管芯片的集电极的公共电极，引脚三号为与公共电极集电极对应的发射极，引脚五号为与公共电极发射极对应的集电极，结构扁平，体积小，热阻低，适合线路板安装使用，使用时性能稳定可靠，抗干扰性强，生产工艺简单，适合批量生产。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及封装元器件
，尤其是一种扁平式封装双绝缘栅双极型晶体管器件。
技术介绍
目前，常见的双IGBT绝缘栅双极型晶体管器件都采用标准模块封装，底部带有铜 底板，外加塑料壳包封，体积很大，生产工艺比较复杂，对于中小功率的双IGBT器件就显得 很不适用，同时造成了成本的增加和占用空间大等问题。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是为了解决上述存在的缺点与不足，提供一种扁 平事封装双绝缘栅双极功率管元器件。 本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种扁平式封装双绝缘栅双 极型晶体管器件，具有引线框架，引线框架上设置有两个绝缘栅双极功率管芯片，引线框架 的外围塑封绝缘树脂形成扁平结构，下端引出有功能引脚，功能引脚包括引脚一号、引脚二 号、引脚三号、引脚四号和引脚五号，引脚二号和引脚四号分别作为两个绝缘栅双极功率管 芯片的控制门极，引脚一号是作为绝缘栅双极功率管芯片的发射极与另一个绝缘栅双极功 率管芯片的集电极的公共电极，引脚三号为与公共电极集电极对应的发射极，引脚五号为 与公共电极发射极对应的集电极，当在控制门极端加上正电压信号，集电极与发射极可即 时道统，当控制门极端加上适当负电压信号，集电极与发射极又可完全及时关断，开关的频 率高。 进一步，为了方便与散热装置紧固安装，扁平结构中间设置有安装孔，散热的功能 好。 为了使得整体结构的体积小，扁平结构的长度为35士3mm、宽度为23士3mm、高度 为3± lmm。 本技术的有益效果是，本技术的扁平式封装双绝缘栅双极型晶体管器 件，结构扁平，体积小，热阻低，适合线路板安装使用，使用时性能稳定，可靠抗干扰，生产工 艺简单，适合批量生产，应用广泛，生产成本低，且占用的安装空间小。以下结合附图和实施例对本技术进一步说明。 附图说明图1是本技术的结构简图； 图2是本技术的局部剖视图； 图3是本技术的结构示意图； 图4是本技术的电路连接简图。 图中1.引线框架，2.绝缘山双击功率管芯片，3.绝缘树脂，4.功能引脚，5.安装孔。具体实施方式现在结合附图和优选实施例对本技术作进一步详细的说明。这些附图均为简 化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关 的构成。 如图1、图2、图3、图4所示的最佳实施方式的扁平式封装双绝缘栅双极型晶体管 器件，具有引线框架1，引线框架1上设置有两个绝缘栅双极功率管芯片2，引线框架1的外 围塑封绝缘树脂3形成扁平结构，下端引出有功能引脚4，功能引脚4包括引脚一号4-1、引 脚二号4-2、引脚三号4-3、引脚四号4-4和引脚五号4-5，引脚二号4-2和引脚四号4-4分 别作为两个绝缘栅双极功率管芯片2的控制门极，引脚一号4-1是作为绝缘栅双极功率管 芯片2的发射极与另一个绝缘栅双极功率管芯片2的集电极的公共电极，引脚三号4-3为 与公共电极集电极对应的发射极，引脚五号4-5为与公共电极发射极对应的集电极，当在 控制门极端加上正电压信号，集电极与发射极可即时导通，当控制门极端加上适当负电压 信号，集电极与发射极又可完全及时关断，开关的频率高，扁平结构中间设置有安装孔5，扁 平结构的长度为35士3mm、宽度为23士3mm、高度为3± lmm，使得整体结构体积小。 本技术使用时通过中间的安装孔5将其紧固于散热装置，各功能引脚4连接 相应线路端，通过在控制门极端加上电压信号，控制集电极与发射极的导通榆关断，开关的 频率高，适合高频场合使用。 以上述依据本技术的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人 员完全可以在不偏离本项技术技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实 用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术 性范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种扁平式封装双绝缘栅双极型晶体管器件，具有引线框架（１），其特征是：引线框架（１）上设置有两个绝缘栅双极功率管芯片（２），引线框架（１）的外围塑封绝缘树脂（３）形成扁平结构，下端引出有功能引脚（４），功能引脚（４）包括引脚一号（４－１）、引脚二号（４－２）、引脚三号（４－３）、引脚四号（４－４）和引脚五号（４－５），引脚二号（４－２）和引脚四号（４－４）分别作为两个绝缘栅双极功率管芯片（２）的控制门极，引脚一号（４－１）是作为绝缘栅双极功率管芯片（２）的发射极与另一个绝缘栅双极功率管芯片（２）的集电极的公共电极，引脚三号（４－３）为与公共电极集电极对应的发射极，引脚五号（４－５）为与公共电极发射极对应的集电极。

【技术特征摘要】
一种扁平式封装双绝缘栅双极型晶体管器件，具有引线框架(1)，其特征是引线框架(1)上设置有两个绝缘栅双极功率管芯片(2)，引线框架(1)的外围塑封绝缘树脂(3)形成扁平结构，下端引出有功能引脚(4)，功能引脚(4)包括引脚一号(4-1)、引脚二号(4-2)、引脚三号(4-3)、引脚四号(4-4)和引脚五号(4-5)，引脚二号(4-2)和引脚四号(4-4)分别作为两个绝缘栅双极功率管芯片(2)的控制门极，引脚一号(4-1)是作为绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈富德，
申请(专利权)人：沈富德，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]