【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种晶圆支撑装置、机构及晶圆加工设备。
技术介绍
1、现有技术中，晶圆在进出反应腔室的过程，是通过支撑柱进行支撑的。当晶圆进入腔室时，加热盘下降，将晶圆放置到支撑柱上，之后，加热盘上升，使得晶圆与支撑柱分离，然后开始对晶圆进行工艺处理。在晶圆处理完毕后，加热盘下降，使晶圆再次放置到支撑柱上，随后将晶圆从支撑柱上取走。
2、在当前的晶圆支撑装置中，加热盘与支撑柱的配合结构主要有两种形式。第一种方式是支撑柱随着加热盘一起升降，通过在支撑柱的下端设置重锤，使得支撑柱与加热盘之间能够实现上下相对运动，从而实现对晶圆的支撑功能。第二种方式则是将支撑柱固定在腔室的底部，使其保持不动，而加热盘则通过升降来实现与支撑柱的上下相对运动。
3、然而不论哪一种配合方式，加热盘与支撑柱之间配合的设计仍然存在问题。加热盘与支撑柱之间为硬性接触，当两者因升降偏斜、工艺沉积物积累等问题导致偏移或卡阻时，可能进一步导致支撑柱无法下落的情形，甚至会导致晶圆碎裂、支撑柱断裂、工艺核心的喷淋板损坏，给晶圆加工带来了极
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1.一种晶圆支撑装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆支撑装置，其特征在于，所述第二接触部的底面为弧面结构，所述第一接触部为与所述弧面结构配合的向下凹的弧面凹孔。
3.根据权利要求1所述的晶圆支撑装置，其特征在于，所述通孔还包括设置于所述第一接触部的下部且与所述第一接触部贯通的摆动孔，所述支撑柱包括设置于所述第二接触部的下部的柱体，所述第一间隙设置于所述柱体与所述摆动孔之间。
4.根据权利要求3所述的晶圆支撑装置，其特征在于，所述摆动孔为上部窄下部宽的孔结构。
5.根据权利要求3所述的晶圆支撑装置，其特征...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆支撑装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆支撑装置，其特征在于，所述第二接触部的底面为弧面结构，所述第一接触部为与所述弧面结构配合的向下凹的弧面凹孔。
3.根据权利要求1所述的晶圆支撑装置，其特征在于，所述通孔还包括设置于所述第一接触部的下部且与所述第一接触部贯通的摆动孔，所述支撑柱包括设置于所述第二接触部的下部的柱体，所述第一间隙设置于所述柱体与所述摆动孔之间。
4.根据权利要求3所述的晶圆支撑装置，其特征在于，所述摆动孔为上部窄下部宽的孔结构。
5.根据权利要求3所述的晶圆支撑装置，其特征在于，所述通孔还包括设置于所述第一接触部和所述摆动孔之间的圆柱孔，所述圆柱孔的上端和下端分别与所述第一接触部和所述摆动孔连通。
6.根据权利要求3所述的晶圆支撑装置，其特征在于，所述第一接触部和所述摆动孔通过圆角直接过渡或者通过连接段圆角过渡。
7.根据权利要求1所述的晶圆支撑装置，其特征在于，还包括连接于所述支撑柱的下端的重锤，所述重锤与所述支撑柱的下端之间存在第二间隙，所述重锤与所述支撑柱的下端可在所述第二间隙的范围内相对活动。
8.根据权利要求7所述的晶圆支撑装置，其特征在于，所述重锤上设置有第三接触部，所述支撑柱的下端设置有第四接触部，所述第三接触部包括摆动槽，所述摆动槽的上方开放设置，所述第四接触部包括连接部，所述连接部设置于所述摆动槽中，且所述第二间隙包括设置于所述连接部与所述摆动槽之间的环形间隙，所述连接部可在所述环形...
【专利技术属性】
技术研发人员：李海龙，黄明策，张闯闯，吴凤丽，关帅，
申请(专利权)人：拓荆创益沈阳半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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