一种可实现双面垂直冷却的MOS管封装结构制造技术

本发明专利技术属于电子元器件封装领域，具体涉及了一种可实现双面垂直冷却的MOS管封装结构，旨在解决当前技术难以实现MOS管大量产热的有效导出的问题。本发明专利技术包括：陶瓷外壳、盖板、源极引出端、栅极引出端、漏极引出端和MOS芯片；陶瓷外壳与盖板之间密封连接；MOS芯片设置在陶瓷外壳的内部，MOS芯片的正面与陶瓷外壳连接；MOS芯片的背面与盖板连接；MOS芯片的源极、栅极分别通过不同的键合指引出至源极引出端和栅极引出端，MOS芯片的漏极通过盖板引出至漏极引出端。本发明专利技术改进了传统的引线键合封装结构，能够做到双面散热，实现MOS管大量产热的有效导出。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子元器件封装的，具体涉及了一种可实现双面垂直冷却的mos管封装结构。

技术介绍

1、mos管作为一种基础且重要的开关及信号保护器件，具有开关速度快、低功耗、热稳定性好等优点，在各类宇航及军用型号的高性能电源系统中应用广泛。然而，随着新一代mos管功率的不断提高，其单位面积电压电流负载能力明显增强，工作时产生的热量也显著提升，因此需要更大幅度的散热需求；

2、然而传统的引线键合封装结构为单面散热模式，在长期高压大电流服役条件下难以实现mos管大量产热的有效导出，从而使芯片产生热损伤，导致器件性能漂移失效。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中的上述问题，即传统的引线键合封装结构为单面散热模式，在长期高压大电流服役条件下难以实现mos管大量产热的有效导出，从而使芯片产生热损伤，导致器件性能漂移失效的问题，本专利技术提供了一种可实现双面垂直冷却的mos管封装结构，所述双面垂直冷却mos管封装结构包括：陶瓷外壳、盖板、源极引出端、栅极引出端、漏极引出端和mos芯片；p>

2、所述陶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种可实现双面垂直冷却的MOS管封装结构，其特征在于，所述MOS管封装结构包括：陶瓷外壳(1)、盖板(2)、源极引出端(3)、栅极引出端(4)、漏极引出端(5)和MOS芯片(6)；

2.根据权利要求1所述的一种可实现双面垂直冷却的MOS管封装结构，其特征在于，所述MOS芯片(6)包括芯片基体(6-1)、源极pad区(6-2)、栅极pad区(6-3)和漏极pad区(6-4)；

3.根据权利要求2所述的一种可实现双面垂直冷却的MOS管封装结构，其特征在于，所述陶瓷外壳(1)包括陶瓷基体(1-1)、源极键合指(1-2)和栅极键合指(1-3)；p>

4.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种可实现双面垂直冷却的mos管封装结构，其特征在于，所述mos管封装结构包括：陶瓷外壳(1)、盖板(2)、源极引出端(3)、栅极引出端(4)、漏极引出端(5)和mos芯片(6)；

2.根据权利要求1所述的一种可实现双面垂直冷却的mos管封装结构，其特征在于，所述mos芯片(6)包括芯片基体(6-1)、源极pad区(6-2)、栅极pad区(6-3)和漏极pad区(6-4)；

3.根据权利要求2所述的一种可实现双面垂直冷却的mos管封装结构，其特征在于，所述陶瓷外壳(1)包括陶瓷基体(1-1)、源极键合指(1-2)和栅极键合指(1-3)；

4.根据权利要求3所述的一种可实现双面垂直冷却的mos管封装结构，其特征在于，所述盖板(2)包括金属化粘片区(2-1)、密封焊料环(2-2)、阻焊环(2-3)和盖板基体(2-4)；

5.根据权利要求4所述的一种可实现双面垂直冷却的mos管封装结构，其特征在于，所述陶瓷外壳(1)与所述盖板(2)以密封方式连接；所述mos芯片(6)的正面与所述陶瓷外壳(1)连接；所述mos芯片(...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝梓淋，戴晨毅，林鹏荣，王勇，刘建松，贾元希，
申请(专利权)人：北京时代民芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：