【技术实现步骤摘要】
本公开的各种实施例涉及半导体技术，更具体地，涉及包括晶体管的半导体装置。
技术介绍
1、传统上，非晶硅或多晶硅主要用作半导体装置(诸如晶体管)的半导体层。非晶硅具有通过相对廉价和简单的工艺确保均匀的器件特性的优点，同时具有低载流子迁移率的缺点。多晶硅可以通过使非晶硅结晶来获得，并且与非晶硅相比可以具有相对高的载流子迁移率。然而，当形成多晶硅时，需要进行再结晶工艺，并且难以确保均匀的器件特性。
2、最近，已经提出氧化物半导体作为半导体材料，其具有高载流子迁移率(这是相对于多晶硅的优点)和均匀的器件特性(这是相对于非晶硅的优点)。
技术实现思路
1、本公开的实施例涉及一种能够提高集成度并且确保晶体管的操作特性的半导体装置。
2、根据本公开的一个实施例，一种半导体装置包括：衬底；位线，其定位于所述衬底之上并且在第一方向上延伸；第一电介质层，其覆盖所述位线；第一沟道层，其定位于所述第一电介质层之上；至少一个字线，其定位于所述第一沟道层之上并且在与所述第一方向交叉的第二方向上...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二接触部穿透所述第一沟道层的至少一部分。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一沟道层包括氧化物半导体和二维半导体中的一种或更多种。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一栅电介质层具有与所述字线对齐的侧壁。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述硬掩模具有与所述字线对齐的侧壁。
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【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二接触部穿透所述第一沟道层的至少一部分。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一沟道层包括氧化物半导体和二维半导体中的一种或更多种。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一栅电介质层具有与所述字线对齐的侧壁。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述硬掩模具有与所述字线对齐的侧壁。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个字线包括在所述第一方向上布置的两个字线，
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一接触部的顶表面定位于与所述第二电介质层的顶表面相同的高度处。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二接触部的顶表面定位于与所述第三电介质层的顶表面相同的高度处。
11.一种半导体装置，包括：
12.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：金美理，金世渊，成旼哲，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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