电子设备及制造电子设备的方法技术

一种用于制造包括半导体存储器的电子设备的方法可以包括：形成第一碳电极材料；对第一碳电极材料进行表面处理以减小第一碳电极材料的表面粗糙度；以及在处理后的第一碳电极材料的表面上形成第二碳电极材料。第二碳电极材料的厚度可以大于第一碳电极材料的厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的总体而言涉及一种电子设备，更具体而言，涉及一种包括半导体存储器的电子设备及制造电子设备的方法。

技术介绍

1、近来，随着电子设备和家用电器朝向小型化、低功耗、高性能、多功能等趋势发展，存在对能够在各种电子设备和家用电器(如计算机和便携式通信设备)中存储信息的半导体器件的需求。因此，已经对能够利用以下特性储存数据的半导体器件进行了研究：半导体器件根据施加至其上的电压或电流在不同的电阻状态之间切换。半导体器件的示例是电阻式随机存取存储器(rram)、相变随机存取存储器(pram)、铁电随机存取存储器(fram)、磁性随机存取存储器(mram)、电熔丝等。

技术实现思路

1、实施例提供了一种能够改善存储单元的操作特性和可靠性的电子设备，以及一种用于制造电子设备的方法。

2、根据本公开的一个方面，一种用于制造包括半导体存储器的电子设备的方法包括：形成第一碳电极材料；对所述第一碳电极材料进行表面处理以减小所述第一碳电极材料的表面粗糙度；以及在经表面处理的第一碳电极材料的表面上形成第二碳电极材料，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体存储器，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中，所述第一碳电极材料和所述第二碳电极材料具有相同的电阻率。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中，所述第一碳电极材料和所述第二碳电极材料具有不同的电阻率。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中，所述存储单元还包括基于硫属化物的材料，

5.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中，所述第一碳电极材料和所述第二碳电极材料电连接至所述行线。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中，所述第一碳电极材料和所述第二碳电极材料电连接至所述列线。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体存储器，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中，所述第一碳电极材料和所述第二碳电极材料具有相同的电阻率。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中，所述第一碳电极材料和所述第二碳电极材料具有不同的电阻率。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中，所述存储单元还包括基于硫属化物的材料，

5.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中，所述第一碳电极材料和所述第二碳电极材料电连接至所述行线。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中，所述第一碳电极材料和所述第二碳电极材料电连接至所述列线。

7.一种半导体存储器，包括：

8.根据权利要求7所述的半导体存储器，其中所述存储单元还包括基于硫属化物的材料，

9.根据权利要求7所述的半导体存储器，

10.根据权利要求7所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金明燮，金泰勋，李范锡，李承润，张桓埈，赵炳直，韩智宣，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：