半导体结构及其形成方法技术

本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：衬底，衬底中包括第一沟槽、位于第一沟槽下方的有源区、以及与有源区连接且沿第一方向凸出于有源区的凸起部，凸起部位于第一沟槽内且沿第一方向凸出于第一沟槽的底面；应变层，至少覆盖凸起部的表面；填充层，填充于第一沟槽内且覆盖应变层，填充层为实心结构，且填充层的晶格常数与应变层的晶格常数不同。本公开能够有效的避免孔洞(void)的形成，从而在第一沟槽内形成无孔洞(即为实心结构)的填充层，提高了所述填充层在所述第一沟槽内的填充均匀性，同时，通过在填充层与凸起部之间设置应变层，使得所述半导体结构的导通电流增加，从而极大的提高了所述半导体结构的电性能。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体结构制造，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

1、动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)是计算机等电子设备中常用的半导体装置，其由多个存储单元构成，每个存储单元通常包括晶体管和电容器。所述晶体管的栅极与字线电连接、源极与位线电连接、漏极与电容器电连接，字线上的字线电压能够控制晶体管的开启和关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，或者将数据信息写入到电容器中。

2、在dram等半导体结构的制造过程中，在对具有高深宽比内的第一沟槽进行填充、形成填充层时，极易在填充层内形成孔洞(void)，影响填充层的性能。举例来说，当所述填充层为具有高深宽比的位线时，孔洞的存在不仅会增大所述位线的阻值，而且还会对所述位线传输电信号的稳定性产生影响，导致半导体结构性能的降低。另外，在dram等半导体结构中形成位线等导电结构的工艺较为复杂，工艺难度较大。

3、因此，如何减少填充层内空洞的产生，同时改善半导体结构的性能，并简化半导体结构的制造工艺，提高半导体结构的生产效率，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底内包括NMOS晶体管，所述NMOS晶体管包括所述有源区；

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述填充层的材料为多晶硅，所述应变层的材料为SiGe。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底内包括PMOS晶体管，所述PMOS晶体管包括所述有源区；

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述应变层的厚度为1nm～10nm。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底内包括沿第二方向间隔...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底内包括nmos晶体管，所述nmos晶体管包括所述有源区；

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述填充层的材料为多晶硅，所述应变层的材料为sige。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底内包括pmos晶体管，所述pmos晶体管包括所述有源区；

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述应变层的厚度为1nm～10nm。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底内包括沿第二方向间隔排布的多个所述有源区、以及沿第三方向延伸且与所述有源区连接的字线结构，所述字线结构包括位于所述有源区的侧面的字线导电层、以及位于所述字线导电层上方的字线盖层，多个所述凸起部沿所述第一方向一一凸出设置于多个所述有源区上，所述第二方向和所述第三方向均平行于所述衬底的顶面，且所述第二方向与所述第三方向相交；

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述凸起部的顶面沿所述第一方向位于所述字线盖层的顶面之下，且位于所述第一沟槽内的所述凸起部沿所述第二方向的宽度小于所述第一沟槽沿所述第二方向的宽度。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述有源区包括沟道区、以及沿所述第三方向分布于所述沟道区相对两端的两个源漏区；

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述应变层的材料为导电材料；所述半导体结构还包括：

10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

11.根据权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底的顶面上还包括堆叠层，所述堆叠层至少包括覆盖于所述衬底的顶面上的隔离层，所述堆叠层中还包括沿所述第一方向贯穿所述堆叠层的第二沟槽；

12.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底内包括沿第二方向间隔排布的多个所述初始有源区、沿第三方向延伸且位于所述初始有源区的侧面的字线沟槽、以及填充于所述字线沟...

【专利技术属性】
技术研发人员：李松雨，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：