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本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：衬底，衬底中包括第一沟槽、位于第一沟槽下方的有源区、以及与有源区连接且沿第一方向凸出于有源区的凸起部，凸起部位于第一沟槽内且沿第一方向凸出于第一沟槽的底面；应变层，至少覆盖凸起部的表...
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