【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种电容器、电容器形成方法以及存储器。
技术介绍
1、电容器作为电荷存储单元，其电容是电容器表面积和介电常数的函数，并且还与介电材料厚度成反比，因此，增大电容器表面积、增大介电常数以及降低介电材料的厚度等等技术被用于改善电容器的存储性能。
2、动态随机存取存储器(dynamic random access memory,dram)利用电容器来存储表示逻辑值的电荷量，随着摩尔定律的不停迭代，dram的集成密度不断增加，这也意味着电容器的密度也在不断增加，在此种情况下，形成性能稳定的电容器的难度越来越大。
技术实现思路
1、本公开实施例提供具有更高可靠性和性能的电容器。
2、本公开内容的技术精神所要解决的问题不限于以上提及的问题，并且本领域技术人员从以下描述将清楚地理解未提及的其它问题。
3、根据本公开内容的一示例实施方式，一种电容器，包括：
4、第一电极，具有第一部分以及位于第一部分上的第二部分，第一部分具有最小...
【技术保护点】
1.一种电容器，包括：
2.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一部分具有最大宽度，所述第二部分具有最大宽度，所述第一部分的最大宽度大于所述第二部分的最大宽度。
3.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一电极中掺杂有氟元素。
4.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述电介质层中掺杂有氟元素。
5.根据权利要求3所述的电容器，其特征在于，还包括支撑结构，所述第一电极还包括横向突出部，所述横向突出部邻接所述支撑结构，所述横向突出部的最小宽度至少大于所述第二部分的最小宽度。
6.根据权利要...
【技术特征摘要】
1.一种电容器，包括：
2.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一部分具有最大宽度，所述第二部分具有最大宽度，所述第一部分的最大宽度大于所述第二部分的最大宽度。
3.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一电极中掺杂有氟元素。
4.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述电介质层中掺杂有氟元素。
5.根据权利要求3所述的电容器，其特征在于，还包括支撑结构，所述第一电极还包括横向突出部，所述横向突出部邻接所述支撑结构，所述横向突出部的最小宽度至少大于所述第二部分的最小宽度。
6.根据权利要求5所述的电容器，其特征在于，所述横向突出部相对所述第二部分更远离所述第一部分。
7.根据权利要求6所述的电容器，其特征在于，所述支撑结构包括层叠的第一支撑结构和第二支撑结构，所述横向突出部邻接所述第一支撑结构和所述第二支撑结构，其中，所述第一支撑结构和所述第二支撑结构在同一处理条件下的蚀刻选择比大于1。
8.根据权利要求7所述的电容器，其特征在于，所述第一支撑结构和所述第二支撑结构具有不同的厚度。
9.根据权利要求5所述的电容器，其特征在于，所述第一电极还包括中间连接部，所述支撑结构还包括第三支撑...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆豪俊，邹玉煌，王晓玲，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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