【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、基板处理工具被用来进行处理，例如在半导体晶片等基板上沉积和蚀刻膜。例如，可使用化学气相沉积(cvd)、等离子体增强cvd(pecvd)、原子层沉积(ald)、等离子体增强ald(peald)和/或其它沉积处理进行沉积，以沉积导电膜、介电膜或其它类型的膜。沉积可在晶片处理室中进行，例如pecvd室中进行，其包含多个站，用于一次处理一个以上的晶片。在一些工具中，晶片传输系统可包含在晶片处理室中。
2、送入cvd装置的处理气体通常在进入cvd装置之前进行调节。处理气体可包含通常在载气中稀释的沉积前体的蒸气。一种常见的实践是使处理气体通过气体箱，其包含模块化的气体输运系统(modular gas handling system)。这种系统可包含一或多个安装在试验板(breadboard)上的流动区块(blocks)。系统可被封闭在一个气密箱(气体箱)中，以控制有害气体的泄漏以及其它原因。流动区块是整体加工的不锈钢块，其具有供气体通过的内部流动通道。流动区块一般沿流动通道方向较长且相对较窄，因此可称为“棒(stick)”。内部流动通道可与一或多个气体输送部件连通，这些部件被表面安装在区块的顶部表面，也被称为基板。区块基板以及表面安装部件的组合可称为“气棒(gas stick)”。流经内部流动通道的处理气体可流经一些表面安装部件。这些部件的示例可包含计量阀、热电偶、流通过滤器(flow-through filter)、压力调节器、质量流量控制器以及压力计。在处理气体通过流动区块期间中，处理气体可能会遇到大体积的表
技术实现思路
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1.一种气体调节装置，其包含：
2.根据权利要求1所述的气体调节装置，其中所述区域为第一区域，其中所述第一温度区域具有第一温度，其中第二温度区域与所述第一温度区域相邻，所述第二温度区域具有第二温度，其基本上不同于或基本上相等于所述第一温度。
3.根据权利要求1所述的气体调节装置，其中所述至少一个多区加热器条包含以并联方式电耦合的多个电阻元件，其中所述多个电阻元件沿着所述基板区块的所述侧壁的所述第一长度而分布，其中所述基板区块包含多个温度区域，且其中所述多个电阻元件中的电阻元件各自与所述多个温度区域中的温度区域相邻。
4.根据权利要求3所述的气体调节装置，其中所述多个电阻元件包含第一电阻元件以及相邻的第二电阻元件，其中所述第一电阻元件具有第一电阻且第二电阻元件具有第二电阻，且其中所述第一电阻大于所述第二电阻。
5.根据权利要求3所述的气体调节装置，其中所述多个电阻元件中的电阻元件沿着所述基板区块的所述侧壁的所述第一长度而分布，且其中所述多个电阻元件中的电阻元件的所述电阻从所述第一端至所述第二端逐渐减小。
6.根据权利要求3
7.根据权利要求6所述的气体调节装置，其中所述侧壁为第一侧壁，所述至少一个加热器条包含第一加热器条，其中所述基板区块包含与所述第一侧壁相对的第二侧壁，所述第二侧壁具有第三长度，且其中第二加热器条沿着所述第二侧壁附接且沿着所述第三长度延伸。
8.根据权利要求7所述的气体调节装置，其中所述第二加热器条与所述第一加热器条基本上相同。
9.根据权利要求1所述的气体调节装置，其中所述侧壁包含凹陷部，其中所述凹陷部具有小于或等于所述第一长度的第三长度，其中所述加热器条沿着所述凹陷部延伸，且其中所述加热器条具有小于或约等于所述第三长度的第四长度。
10.根据权利要求3所述的气体调节装置，其中所述至少一个加热器条包含嵌入在聚合物膜内的所述多个电阻元件。
11.根据权利要求10所述的气体调节装置，其中所述聚合物膜包含聚酰亚胺或聚氟化碳。
12.一种系统，其包含：
13.根据权利要求12所述的系统，其中所述气体调节装置在外壳内。
14.根据权利要求12所述的系统，其中所述基板区块包含多个温度区域。
15.根据权利要求12所述的系统，其中所述加热器条包含多个电阻元件。
16.根据权利要求15所述的系统，其中所述加热器控制器包含多个功率通道，所述多个功率通道电耦合至所述多个电阻元件。
17.一种输送处理气体的方法，其包含：
18.根据权利要求17所述的方法，其中控制所述基板区块的区域内的所述温度包含将所述至少一个加热器条电耦合至加热器控制器。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述至少一个加热器条包含电耦合至所述加热器控制器的多个电阻元件，其中所述多个电阻元件包含沿着所述至少一个加热器条分布的独立电阻元件。
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述多个电阻元件中相邻的电阻元件包含不同的电阻。
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述多个电阻元件中相邻的电阻元件具有逐渐变小的电阻，其中温度沿着所述加热器条从具有最高电阻的第一电阻元件至具有最低电阻的终端电阻元件而降低。
22.根据权利要求20所述的方法，其中所述多个电阻元件中相邻的电阻元件具有逐渐变大的电阻，其中温度沿着所述加热器条从具有最低电阻的第一电阻元件至具有最高电阻的终端电阻元件而降低。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种气体调节装置，其包含：
2.根据权利要求1所述的气体调节装置，其中所述区域为第一区域，其中所述第一温度区域具有第一温度，其中第二温度区域与所述第一温度区域相邻，所述第二温度区域具有第二温度，其基本上不同于或基本上相等于所述第一温度。
3.根据权利要求1所述的气体调节装置，其中所述至少一个多区加热器条包含以并联方式电耦合的多个电阻元件，其中所述多个电阻元件沿着所述基板区块的所述侧壁的所述第一长度而分布，其中所述基板区块包含多个温度区域，且其中所述多个电阻元件中的电阻元件各自与所述多个温度区域中的温度区域相邻。
4.根据权利要求3所述的气体调节装置，其中所述多个电阻元件包含第一电阻元件以及相邻的第二电阻元件，其中所述第一电阻元件具有第一电阻且第二电阻元件具有第二电阻，且其中所述第一电阻大于所述第二电阻。
5.根据权利要求3所述的气体调节装置，其中所述多个电阻元件中的电阻元件沿着所述基板区块的所述侧壁的所述第一长度而分布，且其中所述多个电阻元件中的电阻元件的所述电阻从所述第一端至所述第二端逐渐减小。
6.根据权利要求3所述的气体调节装置，其中所述多个电阻元件中的各个电阻元件各自电耦合至独立电源。
7.根据权利要求6所述的气体调节装置，其中所述侧壁为第一侧壁，所述至少一个加热器条包含第一加热器条，其中所述基板区块包含与所述第一侧壁相对的第二侧壁，所述第二侧壁具有第三长度，且其中第二加热器条沿着所述第二侧壁附接且沿着所述第三长度延伸。
8.根据权利要求7所述的气体调节装置，其中所述第二加热器条与所述第一加热器条基本上相同。
9.根据权利要求1所述的气体调节装置，其中所述侧壁包含凹陷部，其中所述凹陷部具有小于或等于所述第一长度的第三长度，其中所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿隆·加纳尼，帕万·M·帕蒂尔，约翰·F·斯顿夫，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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