【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及从串行输出端子串行读出数据的半导体存储装置的读出电路及半导体存储装置。
技术介绍
现在，在半导体存储装置中，经常要求高速动作。随着高速动作，经常要求高速读出存储器单元的数据。 在此，就从串行输出端子串行读出数据的传统半导体存储装置的读出电路进行说明。图4是表示传统读出电路的图。 在确定地址前，如果被输入确定地址所需要的多个位(Bit)内的下位2位以外的地址信号，则使用开关电路SW_A及读出放大器Al A4，多个数据信号D7同时被分别读出。然后，在确定地址前，如果被输入确定地址所需要的多个位内的下位1位以外的地址信号，则使用开关电路SW_B及读出放大器A5 A6，多个数据信号D6同时被分别读出。 在确定地址时，如果被输入确定地址所需要的所有位的地址信号，则使用读出放大器A7 A12，数据信号D5 D0同时被分别读出。此外，从多个数据信号D7 D6中选择的数据信号D7 D6及数据信号D5 D0，从串行输出端子200依次被读出(例如，参照专利文献1 :日本特表2002-515628号公报)。 但是，在传统读出电路中，需要分别读出多个数据信号D7的4个读出...
【技术保护点】
一种从串行输出端子串行读出数据的半导体存储装置的读出电路，其特征在于包括：多个字节选择器，基于地址分别输出来自规定的多个存储器单元的第１～第８数据信号；多个读出放大器，同时分别读出在确定地址前来自确定地址时有可能被选择的多个所述字节选择器的各所述第１数据信号，并且分别读出在所述确定地址时来自与所确定的地址对应的所述字节选择器的所述第２～第８数据信号；以及选择器电路，在确定地址后，选择各所述第１数据信号中的来自所述与所确定的地址对应的所述字节选择器的所述第１数据信号并加以读出，并且依次选择所述第２～第８数据信号并加以读出。
【技术特征摘要】
...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。