【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、动态存储器(dram)的发展追求高速度、高集成密度、低功耗等性能指标，随着半导体器件结构尺寸的微缩，现有结构所遇到的技术壁垒越来越明显。因此，在现有结构的基础上，开发出更多新颖的结构，是打破现有技术壁垒的有利手段。
2、三维动态随机存储器(3d dram)的出现，尤其是包括多层水平存储单元(multilayer horizontal cell，mhc)的3d dram，通常包括在衬底上堆叠设置的多个晶体管和电容结构，满足了上述需求。
3、然而，随着三维动态随机存储器的集成度提高，相邻水平存储单元之间的间距不断缩小导致相邻存储单元容易产生相互干扰，从而影响半导体结构的性能。
技术实现思路
1、根据本公开实施例的第一方面，提供一种半导体结构，包括：一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；位于衬底上方的堆叠结构，堆叠结构包括沿竖直方向交替堆叠的存储层，存储层中包括多个沿第一方向延伸且沿第二方向间隔...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述气隙结构包括气隙侧墙和第一气隙空间，所述气隙侧墙包括第一水平部、第二水平部及连接所述第一水平部和所述第二水平部的竖直部。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述气隙侧墙为多孔材料层。
4.根据权利要求2或3所述的半导体结构，其特征在于，所述有源结构包括邻接所述电容结构的外延部，所述电容结构包括与所述外延部电连接的第一电极层；
5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括与同一有源结构电连接的第一栅...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述气隙结构包括气隙侧墙和第一气隙空间，所述气隙侧墙包括第一水平部、第二水平部及连接所述第一水平部和所述第二水平部的竖直部。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述气隙侧墙为多孔材料层。
4.根据权利要求2或3所述的半导体结构，其特征在于，所述有源结构包括邻接所述电容结构的外延部，所述电容结构包括与所述外延部电连接的第一电极层；
5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括与同一有源结...
【专利技术属性】
技术研发人员：王振翰，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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