【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体存储器件，更具体地，涉及包括沟道结构的半导体存储器件。
技术介绍
1、随着电子技术的发展，半导体器件的尺寸缩小正在迅速进展，相应地，已经提出了具有使用氧化物半导体材料的沟道层的晶体管以减少通过沟道区的漏电流。
技术实现思路
1、本公开的专利技术构思提供了具有可靠性提高的半导体存储器件。
2、根据本专利技术构思的一些方面，提供了一种半导体存储器件，该半导体存储器件可以包括：衬底；下导线，在衬底上；隔离绝缘层，在下导线上，并且包括沟道沟槽；沟道结构，在沟道沟槽内，并且包括第一氧化物半导体材料；界面导电图案，在沟道结构的下表面与下导线之间；栅介电层，覆盖沟道沟槽内的沟道结构；上导线，在沟道沟槽内的栅介电层上；导电接触图案，在沟道结构上；界面氧化物半导体图案，在沟道结构与导电接触图案之间，并且包括第二氧化物半导体材料；以及电容器结构，包括与导电接触图案连接的下电极。界面导电图案与沟道结构之间的接触面积可以大于界面导电图案与下导线之间的接触面积，并且界面氧化物半导体图案与...
【技术保护点】
1.一种半导体存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述上导线沿第一方向延伸，
3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述界面导电图案的侧表面和所述沟道结构的侧表面彼此竖直对齐。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述界面导电图案和所述下导线包括相同的材料。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述界面导电图案的材料和所述下导线的材料彼此不同。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述沟道结构包括：
7.根据权利要求6所述的半导体存...
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述上导线沿第一方向延伸，
3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述界面导电图案的侧表面和所述沟道结构的侧表面彼此竖直对齐。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述界面导电图案和所述下导线包括相同的材料。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述界面导电图案的材料和所述下导线的材料彼此不同。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述沟道结构包括：
7.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述沟道结构的第一氧化物半导体材料具有第一成分，并且
8.根据权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述第二氧化物半导体材料包括氧化铟镓锌igzo、氧化铟锡ito、氧化铟钨iwo、氧化铟锌izo、氧化铟镓igo、氧化铟锡镓itgo、氧化硅铟镓igso或氧化铟ino、或其中两种或更多种的组合。
9.根据权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述第二氧化物半导体材料的铟含量大于所述第一氧化物半导体材料的铟含量。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：李元锡，李周昊，金承贤，郑宇齐，赵珉熙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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