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一种半导体存储器件，可以包括：衬底；下导线，在衬底上；隔离绝缘层，在下导线上，并且包括沟道沟槽；沟道结构，在沟道沟槽内，并且包括第一氧化物半导体材料；界面导电图案，在沟道结构的下表面与下导线之间；栅介电层，覆盖沟道沟槽内的沟道结构；上导线，...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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