【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种存储器件的制造方法及存储器件。
技术介绍
1、在集成电路的应用过程中，各类器件的性能会受到各层材料之间的间距或厚度影响，尤其是存储器件，因为各层材料之间的间距或厚度，影响了存储器件的微缩。
2、在实际操作过程中，本申请的研发人员发现，当前的半导体器件制造方案中，尤其是存储器件的制造，所形成的栅极结构的后道工艺中，接触窗刻蚀工艺的刻蚀停止层较厚，导致有源区的接触孔出现打不开的问题，使得接触孔工艺和逻辑工艺不能兼容，这限制了存储单元微缩的空间，使得存储器件的存储密度无法进一步提升。
技术实现思路
1、本专利技术主要解决的技术问题是：提供一种存储器件的制造方法及存储器件，通过在衬底上的半导体层内设置源极区和漏极区，抬升了源极区和漏极区的高度，降低了刻蚀形成源极区接触和漏极区接触的难度，使得接触孔工艺和逻辑工艺有效兼容，进而能有效提升存储器件的存储密度，降低成本。
2、为解决上述技术问题，本申请采用的一技术方案是：提供一种半导体器件的制造...
【技术保护点】
1.一种存储器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，进一步包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括：
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
9.一种存储器件，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的存储器件，其特征在于，
11....
【技术特征摘要】
1.一种存储器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，进一步包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括：
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
9.一种存储器件，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：龚风丛，曹开玮，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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