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本发明公开了一种存储器件的制造方法及存储器件，制造方法包括：提供半导体基体，半导体基体包括衬底、设置在衬底上的半导体层，其中，所述半导体基体划分有阵列区域；在阵列区域的半导体基体中形成多个栅极堆叠结构，并在栅极堆叠结构在第一方向上的两侧的半...
该专利属于武汉新芯集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路股份有限公司授权不得商用。

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