基于Ge-Te基相变薄膜的多层多通道立体开关矩阵及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于Ge‑Te基相变薄膜的多层多通道立体开关矩阵及制备方法，所述的开关矩阵包括衬底，相变层、电极层、地导体层、绝缘层和钝化层。针对相变层与电极层成连珠式错层排布。不同功能的电极层通过绝缘层隔开有效避免发生短路以及信号之间相互干扰的问题，同时多层多通道结构保证了当矩阵中某一层通道皆出现损毁时，仍能够保证信号在另一层通道上正常传输。并且通过进一步堆叠设计，在不维修损毁层开关的前提下，仍能够实现多层多通道立体开关矩阵的信号传输。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及相变射频开关矩阵制备，具体地，是具有成本低、开关速度快、寿命长、结构简单、集成度高以及易封装等优点的一种基于ge-te基相变薄膜的多层多通道立体开关矩阵及制备方法。

技术介绍

1、相变射频开关矩阵是利用硫系化合物在晶态与非晶态之间巨大的电阻率变化的特性，从而在射频电路集成中达到多信号传输切换的效果。相变薄膜在非晶态时电阻率很高，而在晶态时电阻率很低，电阻率变化值可达四到五个数量级。当薄膜处于高阻态时，可以将射频信号隔离，使其反射回输入端，无法继续传输，开关处于断开状态。当薄膜处于低阻态时，射频信号可以顺利通过相变薄膜，开关处于导通状态。鉴于对射频通信的日益依赖，多层多通道结构呈现出的高集成度将会进一步满足相变射频开关矩阵器件的需求。

技术实现思路

1、鉴于现有射频开关阵列排布方式的缺点，本专利技术的目的在于提供一种基于ge-te基相变薄膜的多层多通道立体开关矩阵及制备方法，为射频开关提高整体集成度提供了新的思路。本专利技术的相变射频开关单元的加热方式是单电极加热，同时利用多层多通道结构使不同层信本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于Ge-Te基相变薄膜的多层多通道立体开关矩阵的制备方法，其特征在于，该方法包括以下具体步骤：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高阻单晶Si/SiO2作为衬底，其电阻率至少10000 Ω·cm，表面SiO2厚度为300 nm。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述相变层在第二底电极与第一顶电极进行连珠式错层分布。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述Ge-Te基相变材料为Ge2Te、Ge3Te2或GeTe。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，下层顶电极与上层底电极通过控制沉积厚度完...

【技术特征摘要】

1.一种基于ge-te基相变薄膜的多层多通道立体开关矩阵的制备方法，其特征在于，该方法包括以下具体步骤：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高阻单晶si/sio2作为衬底，其电阻率至少10000 ω·cm，表面sio2厚度为300 nm。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述相变层在第二底电极与第一顶电极进行连珠式错层分布。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述ge-te基相变材料为ge2te、ge3t...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡志高，唐建立，金师磊，周星辰，王家宁，商丽燕，李亚巍，龚士静，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：