【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种基于tddb优化的mosfet器件及其制备方法。
技术介绍
1、在半导体制造工艺中，工艺可靠性评估是采用特殊设计的可靠性测试结构对集成电路中与工艺相关的失效原理(wearout mechanism)进行评估。金属氧化物半导体场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，简称mosfet)器件常用于需要更高开关频率的电源转换电路中，mosfet器件的与时间有关的介电层击穿(timedependent dielectric breakdown，简称tddb，又叫经时击穿)测试是考量其工艺可靠性的重要指标之一。
2、tddb是指对mosfet器件施加的电场低于其栅氧化层的本征击穿场强而未引起本征击穿，但经历一定时间后仍发生了击穿。这是由于施加电应力过程中，栅氧化层产生并积聚了缺陷的缘故，即tddb的寿命时间很大程度上取决于mosfet器件的栅氧化层的工艺厚度(特别是浅沟槽隔离结构(sti)顶角区域处的栅氧化层的工艺厚度)。>
3、随着工艺本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基于TDDB优化的MOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的提供一半导体衬底的步骤中，所述半导体衬底内还形成有位于相邻两所述沟槽之间的第一阱区以及形成于所述第一阱区内的第一掺杂区，所述第一掺杂区与所述半导体衬底具有第一导电类型，所述第一阱区具有第二导电类型。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的于所述第一多晶硅层表面形成具有刻蚀窗口的掩膜层的步骤具体包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的于所述第一多晶硅层表面形成掩膜层的步骤具体包括：
5.根...
【技术特征摘要】
1.一种基于tddb优化的mosfet器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的提供一半导体衬底的步骤中，所述半导体衬底内还形成有位于相邻两所述沟槽之间的第一阱区以及形成于所述第一阱区内的第一掺杂区，所述第一掺杂区与所述半导体衬底具有第一导电类型，所述第一阱区具有第二导电类型。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的于所述第一多晶硅层表面形成具有刻蚀窗口的掩膜层的步骤具体包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的于所述第一多晶硅层表面形成掩膜层的步骤具体包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的于所述沟槽内形成浅沟槽隔离...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵菊兰，刘俊，阳黎明，叶蕾，黄永彬，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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