形成图案的方法和制造半导体存储器装置的方法制造方法及图纸

提供了形成图案的方法和制造半导体存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：在包括第一区域和第二区域的基底上方形成蚀刻目标层；在蚀刻目标层上方形成硬掩模结构；形成包括第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案的光致抗蚀剂图案，第一光致抗蚀剂图案包括位于第一区域中的雕刻图案，第二光致抗蚀剂图案包括位于第二区域中的压花图案；形成包括多个开口的上硬掩模图案；形成填充第一区域中的所述多个开口的可逆硬掩模图案；以及形成包括位于第一区域中的第一图案和位于第二区域中的第二图案的特征图案，其中，第一图案包括多个岛状图案和平面地围绕所述多个岛状图案的坝结构。

【技术实现步骤摘要】

专利技术构思涉及一种图案形成方法(或形成图案的方法)、一种半导体存储器装置及其制造方法，更具体地，涉及一种以不同图案密度在多个区域中形成图案的方法、一种通过使用该图案形成方法制造半导体存储器装置的方法以及一种半导体存储器装置。

技术介绍

1、近来，随着半导体存储器装置的尺寸缩小的迅速发展，半导体存储器装置的特征尺寸已经减小，并且构成半导体存储器装置的图案的线宽已经逐渐减小。因此，在同时形成半导体存储器装置所需的具有各种形状、尺寸和密度的图案的情况下，工艺难度已经增大。

技术实现思路

1、专利技术构思提供了一种在于多个区域中同时形成具有各种形状、尺寸和密度的图案的情况下能够减少工艺难度或避免工艺难度的增大并且使工艺裕度最大化的图案形成方法，以及通过使用该图案形成方法制造半导体存储器装置的方法。

2、专利技术构思还提供了一种从上述方法获得的半导体存储器装置。

3、根据专利技术构思的一方面，提供了一种图案形成方法，该方法包括以下步骤：在包括第一区域和第二区域的基底上方形成蚀刻目标层；在位于第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种形成图案的方法，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述坝结构具有一定形状并且围绕第一区域。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，坝结构具有四边形环形形状并且具有带曲率的顶点。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个岛状图案彼此间隔开并形成规则的布置，并且

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成可逆硬掩模图案的步骤包括：通过原子层沉积在第一区域上方形成可逆硬掩模层，并且

6.根据权利要求5所述的方法，其中，可逆硬掩模图案的厚度为至

7.根据权利要求1所述的方法，其中，位于第一区...

【技术特征摘要】

1.一种形成图案的方法，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述坝结构具有一定形状并且围绕第一区域。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，坝结构具有四边形环形形状并且具有带曲率的顶点。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个岛状图案彼此间隔开并形成规则的布置，并且

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成可逆硬掩模图案的步骤包括：通过原子层沉积在第一区域上方形成可逆硬掩模层，并且

6.根据权利要求5所述的方法，其中，可逆硬掩模图案的厚度为至

7.根据权利要求1所述的方法，其中，位于第一区域中的第一图案密度大于位于第二区域中的第二图案密度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个硬掩模层还包括布置在蚀刻目标层与上硬掩模层之间的下硬掩模层和主硬掩模层，并且

9.一种形成图案的方法，所述方法包括以下步骤：

10.根据权利要求9所述的方法，其中，坝结构围绕第一区域并且具有带曲率的顶点。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，坝结构的外表面和内表面中的每个具有平坦的形状。

【专利技术属性】
技术研发人员：李东焕，金冈昱，金硕炫，李垣哲，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：