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提供了形成图案的方法和制造半导体存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：在包括第一区域和第二区域的基底上方形成蚀刻目标层；在蚀刻目标层上方形成硬掩模结构；形成包括第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案的光致抗蚀剂图案，第一光致抗蚀剂图案包括...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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