用于硅片的外延生长的基座、装置及方法、外延硅晶圆制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种用于硅片的外延生长的基座、装置及方法、外延硅晶圆，属于半导体制造技术领域。用于硅片的外延生长的基座，包括：用于承载所述硅片的圆盘形承载部；从所述圆盘形承载部径向向外延伸的环形周缘，所述环形周缘形成有多个间隔排布的沟槽区域，所述沟槽区域沿所述环形周缘的周向均匀分布，所述沟槽区域呈扇环形，每一所述沟槽区域设置有多个阵列排布的凹坑。本发明专利技术的技术方案能够提高外延硅晶圆的平坦度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种用于硅片的外延生长的基座、装置及方法、外延硅晶圆。

技术介绍

1、在单晶抛光晶圆上生长一层单晶薄膜称为外延硅晶圆。相比抛光晶圆，外延硅晶圆具有表面缺陷少、结晶性优异和电阻率可控的特性，被广泛用于高集成化的集成电路(integrated circuit，ic)元件和金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mos)制程中。一般通过化学气相沉积法对晶圆进行外延生长，首先将晶圆传送至反应腔室承载晶圆的基座上，然后反应腔室升温，达到预设的温度后送入清洁气体(比如氢气)去除晶圆表面的自然氧化物，再送入硅源气体在晶圆正面连续均匀的生长外延层。

2、晶圆外延层制备主要分为2个阶段，第一阶段反应腔室自清洁，通入氢气(h2)和刻蚀气体(hcl)；第二阶段进行外延层生长，通入氢气(h2)、硅源气体(sihcl3/h2)和掺杂气体(b2h6/h2)。第一阶段中，氢气作为主气流运载刻蚀气体(hcl)与沉积在反应腔室的副产物反应，清洁反应腔室；第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于硅片的外延生长的基座，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述沟槽区域所在扇形对应的圆心角为40-60°。

3.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，沿所述环形周缘的周向均匀分布有四个沟槽区域。

4.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述凹坑的深度为0.1毫米-1毫米；和/或

5.一种用于硅片的外延生长的装置，其特征在于，包括：

6.一种用于硅片的外延生长的方法，其特征在于，所述方法应用于如权利要求5所述的装置，所述方法包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述将...

【技术特征摘要】

1.一种用于硅片的外延生长的基座，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述沟槽区域所在扇形对应的圆心角为40-60°。

3.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，沿所述环形周缘的周向均匀分布有四个沟槽区域。

4.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述凹坑的深度为0.1毫米-1毫米；和/或

5.一种用于硅片的外延生长的装置，其特征在于，包括：

6.一种用于硅片的外延生长的方法，其特征在于，所述方法应用于如权利要求5所述的装置，所述方法包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙毅，请求不公布姓名，张坤宇，张奔，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：