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本发明提供了一种用于硅片的外延生长的基座、装置及方法、外延硅晶圆，属于半导体制造技术领域。用于硅片的外延生长的基座，包括：用于承载所述硅片的圆盘形承载部；从所述圆盘形承载部径向向外延伸的环形周缘，所述环形周缘形成有多个间隔排布的沟槽区域，所...
该专利属于西安奕斯伟材料科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安奕斯伟材料科技股份有限公司授权不得商用。

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