【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于化合物单晶的制备领域，适用于有固定成分的化合物半导体单晶的制备，特别涉及一种熔体迁移法生长化合物半导体单晶的方法。
技术介绍
1、化合物半导体在信息领域发挥着重要作用，如iii-v族半导体作为第三代、第四代半导体材料，在制备高速、高频、以及大功率器件方面发挥了巨大优势，受到国际社会的高度重视。
2、不同的化合物半导体由于其特性差异，制备方法也不尽相同。例如磷化铟、砷化镓在熔点的饱和蒸气压分别为2.75mpa和0.22mpa，需要在高压下通过氧化硼覆盖剂在配比熔体中生长单晶。磷化铟及砷化镓等半导体在配比熔体中制备单晶时，温度接近熔点，由于熔点温度下临界剪切应力小，层错能低，极易形成位错、孪晶等缺陷，无法在高的温度梯度下获得高品质和高成品率的晶体。
3、氮化镓和碳化硅等在其熔点的饱和蒸气压达到几个gpa，无法在配比熔体生长单晶，主要通过物理或者化学气相法进行生长。物理或者化学气相法因为与衬底存在晶格失配和热膨胀系数失配等因素，导致晶片极易断裂，位错密度极高，而且生长效率极低。传统助溶剂法制备氮化镓和碳化...
【技术保护点】
1.一种熔体迁移法生长化合物半导体单晶的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：
5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤S2所述的晶体为氧化镓或氮化镓或碳化硅或磷化铟...
【技术特征摘要】
1.一种熔体迁移法生长化合物半导体单晶的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：
5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
【专利技术属性】
技术研发人员：王书杰，孙聂枫，李晓岚，王阳，顾占彪，张文雅，史艳磊，邵会民，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：
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