【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳化硅晶体，具体涉及一种碳化硅晶体生长的均匀加热设备。
技术介绍
1、碳化硅晶体制备通常在碳化硅晶体生长炉内生长得到，在晶体生长过程中，炉体内需要抽真空，通入保护气体即惰性气体，碳化硅粉料在2000℃以上的高温下升华气态分子，保护气与这些气态分子在温度梯度作用下会传输到石墨坩埚顶部的籽晶面上重新结晶生长出碳化硅晶，目前，碳化硅单晶的生长方式包括物理气相传输法、高温化学气相沉积法、液相外延法等，碳化硅晶体生长炉的加热方式一般采用高频线圈进行加热，但是加热时容易出现生长炉受热不均匀，从而对晶体的生长产生影响，设备工作时不易对加热位置与生长炉进行保护，使加热位置产生的热量容易受到外界的影响，进而加快了加热位置温度的流失，使设备加热时温度出现发生变化，加热时不易对加热部件根据生长炉的体积进行调节，使其影响加热设备的加热效果，设备进行加热部件调节的过程中不易对加热部件进行支撑，使加热部件在升降前后发生偏移，从而造成加热部件工作时位置发生变化导致损坏。
2、综上所述，加热时容易出现生长炉受热不均匀，从而对晶体的生长产生影响...
【技术保护点】
1.一种碳化硅晶体生长的均匀加热设备，包括炉体(4)，该炉体(4)用于对碳化硅晶体的生长进行处理，所述炉体(4)的底部固定连接有机箱(1)；其特征在于，还包括：
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长的均匀加热设备，其特征在于：所述防护板(31)的底部与机箱(1)滑动连接，所述卡接环(33)的内表面与炉体(4)滑动连接。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长的均匀加热设备，其特征在于：所述调节组件(6)靠近炉体(4)的一侧与加热线圈(8)固定连接，所述调节组件(6)的底部与承接组件(7)固定连接，所述承接组件(7)的底部与机箱(1)固
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体生长的均匀加热设备，包括炉体(4)，该炉体(4)用于对碳化硅晶体的生长进行处理，所述炉体(4)的底部固定连接有机箱(1)；其特征在于，还包括：
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长的均匀加热设备，其特征在于：所述防护板(31)的底部与机箱(1)滑动连接，所述卡接环(33)的内表面与炉体(4)滑动连接。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长的均匀加热设备，其特征在于：所述调节组件(6)靠近炉体(4)的一侧与加热线圈(8)固定连接，所述调节组件(6)的底部与承接组件(7)固定连接，所述承接组件(7)的底部与机箱(1)固定连接。
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长的均匀加热设备，其特征在于：所述辅助组件(5)包括辅助框(51)，该辅助框(51)固定连接在支架(2)内表面，所述辅助框(51)的内腔底部固定连接有装配架(56)；
5.根据权利要求4所述的一种碳化硅晶体生长的均匀加热设备，其特征在于：所述温度传感器(52)远离辅助板(54)的一侧延伸至安装筒(53)的外部，所述装配架(56)的顶部与散热器(55)固定连接。
6.根据权利要求4所述的一种碳化硅晶体生长的均匀加热设备，其特征在于：所述装配架(56)固定连接有装配框(561)，该装配框(561)固定连接在辅助框(51)内腔底部...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡运俊，谢继飞，佘洁柯，林峰，张双锋，陈真，
申请(专利权)人：东莞市鼎力自动化科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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