【技术实现步骤摘要】
本技术涉及掺杂辅助机构，具体为一种感应加热高纯砷掺杂辅助机构。
技术介绍
1、多晶体在加工过程中通过内部热量反应产生晶体，晶体在生产过程中需要掺杂微量元素物质，掺杂器主体安装在晶体生产炉的侧面，掺杂器通过感应晶体生产炉内部热量对其内部输送杂质，行业目前长晶均是采用一棒或是短棒收尾复投的方式进行，此种方式存在诸多缺点，如无功功耗加多、多晶硅料损耗严重、复投期间石英杂质引入较多、复投方式易引起温场氧化形成长晶过程中的有害宏观杂质颗粒而增加晶体断线率、不能相对准确控制晶体轴向掺杂剂分布规律。
2、目前已存在的掺杂器主体存在缺少不间断对掺杂器主体内部提供需要输送的杂质物的问题；
3、而存在这一问题的原因是，在掺杂器使用过程中，需要将掺杂器主体安装在晶体生产炉侧面，掺杂器通过内部对生产炉内部热量感应而向晶体生产炉内部提供杂质，而部分晶体在生产过程中需要不断输入微量元素杂质，从而保持晶体生产的稳定性与纯度，掺杂器一次提供的微量元素杂质有限，且晶体生产炉内部晶体生产需要保持封闭状态，若反复向掺杂器内部提供微量元素杂质物，将会影...
【技术保护点】
1.一种感应加热高纯砷掺杂辅助机构，包括掺杂器主体（1），所述掺杂器主体（1）的外部设置有晶体生产炉（101），其特征在于，所述掺杂器主体（1）的外表面设置有掺杂辅助器（2），所述掺杂辅助器（2）的外表面设置有用于向掺杂器主体（1）内部提供杂质的供料机构，所述供料机构包括设置在掺杂辅助器（2）外部的进料管（202），所述进料管（202）的外表面设置有固定环（203），所述固定环（203）安装在进料管（202）的端部，所述固定环（203）的顶端设置有固定盖（204）。
2.根据权利要求1所述的一种感应加热高纯砷掺杂辅助机构，其特征在于：所述掺杂器主体（1）的...
【技术特征摘要】
1.一种感应加热高纯砷掺杂辅助机构，包括掺杂器主体（1），所述掺杂器主体（1）的外部设置有晶体生产炉（101），其特征在于，所述掺杂器主体（1）的外表面设置有掺杂辅助器（2），所述掺杂辅助器（2）的外表面设置有用于向掺杂器主体（1）内部提供杂质的供料机构，所述供料机构包括设置在掺杂辅助器（2）外部的进料管（202），所述进料管（202）的外表面设置有固定环（203），所述固定环（203）安装在进料管（202）的端部，所述固定环（203）的顶端设置有固定盖（204）。
2.根据权利要求1所述的一种感应加热高纯砷掺杂辅助机构，其特征在于：所述掺杂器主体（1）的外表面设置有驱动器（102），所述驱动器（102）的外部设置有固定板（103），所述固定板（103）设置在掺杂器主体（1）的外部。
3.根据权利要求2所述的一种感应加热高纯砷掺杂辅助机构，其特征在于：所述掺杂器主体（1）的外部设置有连接管（201），所述掺杂辅助器（2）设置在连接管（201）的顶端。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：黄永恩，
申请(专利权)人：江西磐盟半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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