【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及纳米发光材料领域。
技术介绍
Gd3GaA2晶体属于立方晶系,空间群为Ia3d,晶胞参数为a=12.4lA, V =1898. 75 A3。 Gd3Gas(^晶体结构中的Gd离子所在的晶格位置的对称性为D2,可 以被激活离子Yb37Er3VTrrT取代,发光效率较高。Yt)3+离子可以有效地吸收 980nmLD泵浦光源,并有效地把能量传递给E +和Tm"离子,由于E +和Tm"离子 发光特性,使得Yb7E 7Tm":Gd3Ga^纳米材料在980nmLD光源的泵浦下,可以 产生654nm 、 542nm、 524nm、 465nm和484nm波段的红、绿、兰三基色荧光发 射,便产生了强白光的发射,因此Yb37ErVTm3+:Gd3GaA2纳米材料可以作为一种 新型的白光发光材料,在照明、显示和探测系统等领域都有很好的应用前景。
技术实现思路
本专利技术的目的在于公开一种新型的白光纳米发光材料Yb37Er37Tm3+:Gd3Ga50I2。 实现本专利技术目的技术方案1. 一种稀土离子激活的镓酸钆新型白光纳米发光材料,其特征在于新型白光 纳米发光材料的化 ...
【技术保护点】
一种稀土离子激活的镓酸钆新型白光纳米发光材料,其特征在于:新型白光纳米发光材料的化学式为Yb↑[3+]/Er↑[3+]/Tm↑[3+]:Gd↓[3]Ga↓[5]O↓[12]。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:涂朝阳,吕万聪,游振宇,朱昭捷,李坚富,王燕,
申请(专利权)人:中国科学院福建物质结构研究所,
类型:发明
国别省市:35[中国|福建]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。